CJAC010SN10MS
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAC010SN10MS是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）N沟道MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。其关键参数：VDS=100V，ID=90A，RDS(on)典型值8.8mΩ（@VGS=10V），Qg低至30nC。SGT工艺优化了导通电阻与开关性能，适合中低压大电流应用。
VDS耐压分析
100V的漏源击穿电压（VDS）满足48V系统（如通信电源、服务器电源）的电压应力要求，并留有充足裕量。SGT结构通过垂直电荷平衡，在相同耐压下比传统沟槽MOSFET具有更低的导通电阻和更快的开关速度。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)=8.8mΩ（@VGS=10V），在ID=90A时导通损耗仅约71W（忽略温度效应）。实际应用中需考虑结温升高导致的RDS(on)正温度系数（约0.5%/°C），设计时建议按最高结温下RDS(on)的1.5倍计算。低RDS(on)可显著提升系统效率，尤其适合高占空比应用。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH=1.1~2.3V，典型值1.6V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。Qg典型值30nC，开关损耗较低。栅极电荷比Qgd/Qgs≈0.3，表明米勒平台平坦，抗误导通能力强。建议栅极驱动电阻Rg=10Ω，以平衡开关速度与EMI。
热阻与功率计算
结到壳热阻RθJC典型值1.5°C/W（封装底部散热），结到环境RθJA约40°C/W（取决于PCB布局）。最大结温175°C。在85°C环境温度下，若允许结温150°C，最大耗散功率PD=(150-85)/1.5≈43.3W。实际应用中需根据开关频率、电流波形等计算总损耗，确保结温在安全范围内。
应用推荐
- DC-DC转换器：同步整流BUCK电路，12V/48V输入，输出大电流。
- 电机驱动：直流无刷电机（BLDC）驱动器，功率MOSFET桥臂。
- 电池保护板：锂电池充放电开关，低内阻减少发热。
- 电源管理：服务器、基站电源的OR-ing和负载开关。
代理渠道
长晶科技（JSCJ）授权代理商提供样品及技术支持。可通过官方商城或授权分销商如南山电子、华强芯城等购买。批量采购请联系原厂或代理商获取价格及交期。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 90 | A |
| VGSTH | 1.1~2.3 | V |
| RDSM VGS | 8.8 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 11 | mΩ |
CJAC010SN10MS 常见问题
Q：CJAC010SN10MS 是什么器件？
A：CJAC010SN10MS 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC010SN10MS 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC010SN10MS的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC010SN10MS.pdf 直接下载。
Q：CJAC010SN10MS 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC010SN10MS 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC010SN10MS 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC010SN10MS 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC010SN10MS 现货价格是多少？
A：CJAC010SN10MS 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。