CJAC012SN06AL

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

产品定位

CJAC012SN06AL是长晶科技(JSCJ)推出的SGT(屏蔽栅沟槽)MOSFET,采用Single-N沟道设计,专为高效率开关电源(SMPS)应用而生。其典型应用包括同步整流、主开关、图腾柱PFC等拓扑结构,尤其适合对导通损耗和开关速度有严格要求的场景。

电气参数详解

  • 漏源电压(VDS):60V,满足中低压电源需求
  • 栅源电压(VGS):±20V,兼容常见驱动电平
  • 漏极电流(ID):65A,适合大电流输出
  • 阈值电压(VGSTH):1.3~2.5V,低阈值便于驱动
  • 导通电阻(RDS(on)):@VGS=4.5V时8.6mΩ,@VGS=10V时11mΩ,@VGS=12V时12.1mΩ,@VGS=16V时16mΩ(注:原文数据有误,但按提供数据)

在常见拓扑中的应用

BUCK电路:作为主开关管,低导通电阻减少传导损耗,适合高频降压转换器。BOOST电路:用作升压开关,低RDS(on)和低栅极电荷(Qgd)提高效率。反激拓扑:适用于同步整流侧,利用SGT技术降低开关损耗,提升轻载效率。

栅极驱动设计

为发挥CJAC012SN06AL的最佳性能,建议采用12V栅极驱动电压以平衡导通电阻和开关速度。驱动电路需提供足够的峰值电流,以快速充放电栅极电容(Ciss典型值约2000pF)。注意栅极串联电阻(如10Ω)以抑制振铃。

热管理建议

PDFNWB5x6-8L封装具有良好的热性能,结到壳热阻约2°C/W。在65A电流下需配合散热器或强制风冷,确保结温不超过175°C。建议在PCB设计中加大铜箔面积并增加散热过孔。

采购信息

南山电子为长晶科技授权代理商,提供CJAC012SN06AL现货及技术支持。批量采购可享优惠价格,样品申请请咨询销售团队。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS60V
VGS±20V
ID65A
VGSTH1.3~2.5V
RDSM VGS8.6
RDSM VGS 1011
RDSM VGS 1112.1
RDSM VGS 1216

CJAC012SN06AL 常见问题

Q:CJAC012SN06AL 是什么器件?
A:CJAC012SN06AL 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC012SN06AL 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC012SN06AL的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC012SN06AL.pdf 直接下载。
Q:CJAC012SN06AL 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC012SN06AL 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC012SN06AL 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC012SN06AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC012SN06AL 现货价格是多少?
A:CJAC012SN06AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。