CJAC012SN15BH
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAC012SN15BH是长晶科技（JSCJ）推出的N沟道SGT（屏蔽栅沟槽）MOSFET，采用先进的SGT工艺，在150V耐压下实现极低的导通电阻和开关损耗。器件采用PDFNWB5x6-8L封装，具有低热阻、高散热性能，适合高功率密度应用。
VDS耐压分析
VDS=150V，满足48V系统、电池组保护等应用的安全裕量要求。SGT结构优化了体二极管反向恢复特性，增强了系统可靠性。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)=9.1mΩ@VGS=10V，11.5mΩ@VGS=4.5V，在80A连续电流下导通损耗仅约60W（占空比100%时）。低RDS(on)有助于提高转换效率，降低散热需求。
开关特性与栅极驱动
Qg典型值25nC，Qgd约8nC，适合高频开关。VGS(th)阈值2.0~4.0V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。建议驱动电压10V以充分降低导通电阻。
热阻与功率计算
RθJC（结到壳）典型值1.5°C/W，RθJA（结到环境）约40°C/W（取决于PCB设计）。最大允许功耗Pd= (Tjmax-Tc)/RθJC，在Tc=25°C时Pd≈83W。实际应用中需根据散热条件降额。
应用推荐
- DC-DC转换器（48V输入、12V输出）
- 电机驱动（电动工具、无人机）
- 电池保护电路（锂电池组）
- 电源管理模块（电信、工业）
代理渠道
可通过长晶科技授权代理商（如华强北、南山电子电子等）购买。样品申请请联系JSCJ官方或当地代理。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 150 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 80 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 9.1 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 11.5 | mΩ |
CJAC012SN15BH 常见问题
Q：CJAC012SN15BH 是什么器件？
A：CJAC012SN15BH 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC012SN15BH 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC012SN15BH的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC012SN15BH.pdf 直接下载。
Q：CJAC012SN15BH 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC012SN15BH 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC012SN15BH 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC012SN15BH 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC012SN15BH 现货价格是多少？
A：CJAC012SN15BH 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。