长晶JSCJ CJAC110SN10H SGT MOSFET 产品详情

型号：CJAC110SN10H | 品牌：长晶（JSCJ） | 子类：SGT MOSFET | 封装：PDFNWB5x6-8L

高压MOSFET产品概述

CJAC110SN10H是长晶科技推出的采用SGT（屏蔽栅沟槽）工艺的N沟道功率MOSFET，耐压100V，持续漏极电流110A。器件优化了高压应用场景下的导通电阻与开关性能，特别适用于工业电源、光伏逆变器、充电桩等高压大电流场合。SGT结构降低了栅漏电荷（Qgd），提升开关速度，同时维持低导通电阻，实现高效率。

耐压裕量与可靠性

额定VDS=100V，VGS=±20V，保证在高压瞬态下安全运行。SGT工艺提供更强的雪崩耐受能力，单脉冲雪崩能量EAS满足工业级要求。产品通过100% UIS测试，确保在过压、过流条件下的可靠性。栅极阈值电压范围2.0~4.0V，防止误开启，增强系统抗噪声能力。

电气参数详解

• 类型：Single-N
• 工艺：SGT
• VDS：100V
• VGS：±20V
• ID：110A
• VGSTH：2.0~4.0V
• RDS(on) @ VGS=4.5V：典型值4.5mΩ
• RDS(on) @ VGS=10V：典型值5.2mΩ

低导通电阻减少导通损耗，适合高频PWM应用。SGT工艺降低米勒电容，提升开关速度，减少开关损耗。

光伏逆变器应用

在光伏逆变器中，CJAC110SN10H可用于DC/DC升压级和逆变桥臂。100V耐压满足光伏组件最大功率点跟踪（MPPT）的电压要求。低RDS(on)降低导通损耗，提升逆变器效率。SGT工艺的高开关速度支持高频PWM调制，减小磁性元件体积。

工业变频应用

在工业变频器、伺服驱动中，CJAC110SN10H作为电机驱动开关管，100V耐压适应380V交流经整流后的母线电压。110A大电流能力满足中功率电机驱动。低导通电阻和低开关损耗有助于变频器散热设计，提高系统可靠性。

安全使用规范

1. 栅极驱动电压推荐10V~12V，确保完全导通。
2. 栅极串联电阻建议10Ω~22Ω，抑制振荡。
3. 散热设计需保证结温不超过175°C。
4. 避免超过VDS最大额定值，应用中加入RCD缓冲电路。
5. 焊接温度不超过260°C，时间小于10秒。

代理采购

长晶JSCJ CJAC110SN10H由授权代理商供货，提供原厂技术支持。如需样品或批量采购，请联系当地代理商。批量价格优惠，库存充足。