CJAC110SN10L

CJAC110SN10L SGT MOSFET 产品简介

CJAC110SN10L是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）N沟道MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装，具有100V漏源耐压和110A连续漏极电流能力。其典型导通电阻低至4.3mΩ（VGS=10V），专为高效电机驱动应用设计。

为何选择CJAC110SN10L用于电机驱动

在电机驱动应用中，H桥、半桥和三相逆变器需要MOSFET具备低导通电阻、快速开关以及稳健的体二极管特性。CJAC110SN10L的SGT工艺实现了极低的导通电阻（RDS(on)典型值4.3mΩ），有效降低导通损耗。同时，其优化的体二极管反向恢复特性（trr典型值50ns）显著减少了死区时间，避免直通短路，提升系统效率。

电气特性详解

• 漏源电压（VDS）：100V，满足48V及以下电机驱动系统的安全裕量。
• 栅源电压（VGS）：±20V，提供宽驱动电压范围，兼容3.3V/5V逻辑电平。
• 连续漏极电流（ID）：110A（Tc=25°C），适应大电流电机负载。
• 阈值电压（VGS(th)）：1.5~2.5V，典型值2.0V，确保低电压开启。
• 导通电阻：VGS=10V时4.3mΩ，VGS=6V时5.2mΩ，VGS=4.5V时7.8mΩ，低电压驱动下仍保持低电阻。
• 输入电容（Ciss）：3500pF，优化开关速度。

H桥/半桥应用设计要点

在H桥或半桥拓扑中，上下管的开关时序至关重要。CJAC110SN10L的栅极电荷（Qg=45nC）较小，可快速开关，减少开关损耗。设计时建议：

• 栅极驱动电阻：选用10~22Ω电阻控制开关速度，抑制振铃。
• 自举电路：为高侧驱动提供足够电压，确保VGS在10V以上以降低导通电阻。
• 死区时间：根据体二极管反向恢复特性（trr典型值50ns），建议死区时间设为100~200ns，避免直通。

死区时间与体二极管特性

在电机驱动中，死区时间设置不当会导致上下管直通，损坏器件。CJAC110SN10L的体二极管具有快速反向恢复特性（trr典型值50ns，Qrr=0.4μC），相比普通MOSFET的trr（通常>100ns），可显著缩短死区时间，减少死区损耗。同时，其体二极管正向压降（VSD=1.0V）较低，续流损耗小。

保护电路建议

为确保系统可靠性，建议添加以下保护：

• 栅极保护：在栅源间并联15V齐纳二极管，防止栅极过压。
• 过流保护：采用电流检测电阻或霍尔传感器，配合比较器快速关断。
• 过热保护：使用NTC热敏电阻监测散热器温度，当超过125°C时降低PWM频率或停机。
• 吸收电路：在漏源间并联RC缓冲电路（如10Ω+1nF），抑制电压尖峰。

采购信息

CJAC110SN10L现已量产，提供PDFNWB5x6-8L无铅封装，符合RoHS标准。可提供样品及技术支持。批量采购请联系授权分销商或访问长晶官网查询库存。典型包装为卷带包装（3000pcs/卷）。