CJAC13TH06

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

CJAC13TH06 SGT MOSFET – 低压大电流高效方案

长晶科技(JSCJ)推出的CJAC13TH06是一款采用SGT(屏蔽栅沟槽)工艺的N沟道MOSFET,专为低压大电流应用优化。其典型导通电阻(RDS(on))低至2.2mΩ(VGS=10V),最大漏极电流达130A,封装为紧凑的PDFNWB5x6-8L,非常适合空间受限的高功率密度设计。

超低RDS(on)带来的效率优势

在电池供电、负载开关及同步整流等应用中,导通损耗是影响系统效率的关键因素。CJAC13TH06凭借SGT技术实现了极低的导通电阻:在VGS=10V时典型RDS(on)为2.2mΩ,VGS=4.5V时为3mΩ。相比传统沟槽MOSFET,可减少30%以上的导通损耗,从而降低温升、延长电池续航。

关键电气参数

参数
VDS60V
ID130A
RDS(on) @ VGS=10V2.2mΩ (典型)
RDS(on) @ VGS=4.5V3mΩ (典型)
VGS(th)1.0~2.5V
封装PDFNWB5x6-8L

电池保护与BMS应用

在锂电池保护板(BMS)中,CJAC13TH06的低导通电阻可显著减少充放电回路的压降和热量产生。130A的电流能力使其适用于大容量电池组(如电动工具、储能系统)。其SGT结构还具备良好的开关特性,可配合PWM控制器实现高效同步整流。

PCB布局与散热建议

为充分发挥CJAC13TH06的低RDS(on)优势,建议采用以下布局:

  • 将MOSFET靠近负载或电池端子,缩短大电流路径;
  • 使用大面积铜箔和散热过孔,增强热传导;
  • 在栅极驱动回路中串联电阻以抑制振荡;
  • 必要时加装散热器,确保结温不超过175°C。

长晶科技品牌介绍

长晶科技(JSCJ)是国内领先的半导体器件制造商,专注于功率MOSFET、二极管、三极管等产品的研发与生产。公司拥有先进的SGT、超结等工艺平台,产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,以高可靠性和性价比著称。

购买渠道 – 南山电子

CJAC13TH06由南山电子(Nansan Electronics)授权代理,提供原装正品、技术支持及快速交货。可通过南山电子官网或全国服务热线查询库存与价格。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS60V
VGS±20V
ID130A
VGSTH1.0~2.5V
RDSM VGS2.2
RDSM VGS 103
RDSM VGS 113
RDSM VGS 124.5

CJAC13TH06 常见问题

Q:CJAC13TH06 是什么器件?
A:CJAC13TH06 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC13TH06 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC13TH06的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC13TH06.pdf 直接下载。
Q:CJAC13TH06 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC13TH06 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC13TH06 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC13TH06 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC13TH06 现货价格是多少?
A:CJAC13TH06 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。