CJAC18SN03

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

CJAC18SN03:低压大电流SGT MOSFET,高效节能之选

长晶科技(JSCJ)推出的CJAC18SN03是一款采用先进SGT(屏蔽栅沟槽)技术的单N沟道MOSFET,额定电压30V,连续漏极电流18A,专为低压大电流应用场景设计。其超低导通电阻(典型值12mΩ@VGS=10V)显著减少导通损耗,提升系统整体效率,尤其适用于电池保护、负载开关及同步整流电路。

低RDS(on)优势分析

CJAC18SN03的导通电阻在不同栅极电压下表现优异:@VGS=4.5V时典型值18mΩ,@VGS=10V时仅12mΩ,最大值15mΩ;@VGS=20V时最大23mΩ。低RDS(on)意味着更低的I²R损耗,在持续大电流工作中热量产生更少,从而简化散热设计,延长设备寿命。结合±20V的宽栅极驱动电压范围,该器件兼容3.3V/5V逻辑电平,便于直接驱动。

电气参数表

参数符号数值
漏源电压VDS30V
栅源电压VGS±20V
连续漏极电流ID18A
栅极阈值电压VGSTH1.0~2.5V
导通电阻@VGS=4.5VRDS(on)18mΩ(典型)
导通电阻@VGS=10VRDS(on)12mΩ(典型),15mΩ(最大)
导通电阻@VGS=20VRDS(on)23mΩ(最大)
封装-PDFNWB5x6-8L

电池保护/BMS应用

在锂电池保护板(BMS)中,CJAC18SN03可作为充放电开关管,其低导通电阻减少能量损失,提高电池使用效率。30V耐压满足单节至多节锂电池串联需求,18A电流能力适配电动工具、吸尘器等高放电倍率设备。无ESD保护设计需注意外部静电防护,建议在栅极加齐纳二极管或RC吸收电路。

PCB布局与散热建议

PDFNWB5x6-8L封装具有底部散热焊盘,建议在PCB对应位置设计大面积铜箔和过孔阵列以增强散热。对于持续18A电流,需确保铜箔宽度足够(建议≥4mm)并采用多层板结构。栅极驱动走线应远离漏源大电流回路,避免寄生振荡。同步整流应用中,可并联多个CJAC18SN03进一步降低导通电阻。

长晶品牌介绍

长晶科技(JSCJ)是国内领先的半导体分立器件制造商,产品涵盖MOSFET、二极管、三极管等,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。公司拥有先进的SGT工艺平台,产品性能稳定可靠,提供高性价比的国产替代方案。

南山电子购买渠道

CJAC18SN03现由南山电子(Nanshan Electronics)提供现货供应,支持小批量样品和批量订货。访问南山电子官网或联系销售团队获取最新价格与库存信息。南山电子作为长晶授权代理商,确保原装正品,提供及时的技术支持和物流服务。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS30V
VGS±20V
ID18A
VGSTH1.0~2.5V
RDSM VGS12
RDSM VGS 1015
RDSM VGS 1118
RDSM VGS 1223

CJAC18SN03 常见问题

Q:CJAC18SN03 是什么器件?
A:CJAC18SN03 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC18SN03 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC18SN03的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC18SN03.pdf 直接下载。
Q:CJAC18SN03 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC18SN03 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC18SN03 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC18SN03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC18SN03 现货价格是多少?
A:CJAC18SN03 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。