CJAC1R3SN04C
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
产品定位：高效同步整流与主开关方案
CJAC1R3SN04C是长晶科技推出的SGT (Shielded Gate Trench) MOSFET，专为开关电源(SMPS)设计。凭借40V耐压与190A连续漏极电流能力，它非常适合作为同步整流管、BUCK主开关、BOOST升压开关以及图腾柱PFC电路的关键器件。其SGT工艺有效降低了导通电阻与栅极电荷，在低压大电流应用中显著提升转换效率。
关键电气参数解析
- VDS=40V：满足12V、24V及部分48V电源轨的应力要求，留有足够安全裕量。
- ID=190A：在PDFNWB5x6-8L封装中实现大电流处理能力，适合高功率密度设计。
- RDS(on)典型值1.25mΩ@VGS=10V：极低导通电阻，减少导通损耗，提升轻载效率。
- VGS(th)=1.0~2.5V：低阈值电压，便于3.3V或5V逻辑电平直接驱动。
- ESD无保护：需注意栅极防静电设计，建议添加齐纳钳位或电阻。
在BUCK/BOOST/反激拓扑中的应用
BUCK变换器：作为主开关，CJAC1R3SN04C的低RDS(on)与低Qg可减少开关损耗，适用于高频12V-1.8V/3.3V降压。同步整流应用中，其低导通电阻替代肖特基二极管，大幅提升满载效率。
BOOST升压：在12V转24V/48V应用中，作为升压开关，其40V耐压覆盖输出过冲，低导通电阻保证高电流输出。
反激变换器：适合作为初级开关，需配合RCD钳位吸收漏感能量；其低RDS(on)有助于降低导通损耗，但需注意关断尖峰不超过40V。
栅极驱动设计注意事项
CJAC1R3SN04C的栅极阈值电压较低(1.0~2.5V)，可直接由3.3V或5V PWM控制器驱动。建议在栅极串联10Ω电阻抑制振铃，并添加10kΩ下拉电阻防止浮空导通。由于无ESD保护，焊接与操作时需接地，避免静电损坏。
热管理建议
PDFNWB5x6-8L封装底部有大面积散热焊盘，需焊接在PCB铜箔上。在持续190A电流时，建议多层板设计，每层铺铜并加过孔散热。实测热阻RθJA约40°C/W，需根据功耗计算温升，必要时加装散热器或强制风冷。
南山电子现货采购
南山电子作为长晶科技授权代理商，长期备有CJAC1R3SN04C现货，提供原厂技术支持与样品申请。联系南山电子获取最新报价与交期，助力电源产品快速上市。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 40 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 190 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 1 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1.25 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 1.4 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 2 | mΩ |
CJAC1R3SN04C 常见问题
Q：CJAC1R3SN04C 是什么器件？
A：CJAC1R3SN04C 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC1R3SN04C 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC1R3SN04C的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC1R3SN04C.pdf 直接下载。
Q：CJAC1R3SN04C 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC1R3SN04C 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC1R3SN04C 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC1R3SN04C 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC1R3SN04C 现货价格是多少？
A：CJAC1R3SN04C 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。