CJAC1R9SN04AL

产品概述

CJAC1R9SN04AL是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Shield Gate Trench）MOSFET，采用Single-N沟道设计，漏源击穿电压VDS=40V，连续漏极电流ID高达200A，导通电阻典型值RDS(on)仅1.5mΩ（VGS=10V）。该器件采用先进的SGT工艺，有效降低开关损耗和导通损耗，特别适合低电压大电流应用。无ESD保护功能，需在PCB布局中注意防静电措施。

封装尺寸与引脚说明

封装形式为PDFNWB5x6-8L（Power Dual Flat No-Lead Wide Body 5x6mm 8-Lead），尺寸为5mm×6mm，高度约0.9mm，无引脚结构，底部带有散热焊盘。引脚功能如下：

• Pin 1-3 (Source)：源极，连接至散热焊盘
• Pin 4 (Gate)：栅极
• Pin 5-8 (Drain)：漏极
• 底部散热焊盘：漏极电气连接，同时作为主散热通道

建议PCB焊盘设计参考封装图纸，确保散热焊盘与PCB铜皮充分接触，推荐使用大面积铜箔和导热过孔以增强散热。

热阻参数解析

热阻是MOSFET散热设计的关键参数。CJAC1R9SN04AL的热阻参数如下：

• 结到壳热阻（Rth-JC）：典型值1.2°C/W（最大1.5°C/W），表示芯片到封装背面的热阻，用于评估理想散热条件。
• 结到环境热阻（Rth-JA）：典型值40°C/W（PCB安装条件下），依赖于PCB铜箔面积和气流。实际应用中需通过良好散热设计降低Rth-JA。

注意：Rth-JA值是在标准JEDEC测试板上测得的，实际应用中的散热效果需根据具体PCB设计调整。

最大功耗计算方法

最大功耗PD(max) = (Tj(max) - Tc) / Rth-JC，其中Tj(max)为最大结温（通常175°C），Tc为外壳温度。例如，若Tc=25°C，则PD(max) = (175-25)/1.2 ≈ 125W。实际设计中需根据系统最高环境温度和散热条件降额使用。连续电流ID受限于功耗和热阻，可通过以下公式估算：ID = sqrt(PD(max) / RDS(on))。

散热片选型建议

由于PDFNWB5x6-8L封装底部散热焊盘是主要散热路径，推荐使用以下方案：

• 在PCB底部对应位置设计大面积铜区域（至少1平方英寸），并通过多个过孔连接至顶层散热焊盘。
• 若自然散热不足，可加装小型铝散热片（如TO-252兼容尺寸），使用导热硅脂或导热胶带固定。
• 强制风冷（如风扇）可显著降低Rth-JA，例如风速1m/s时Rth-JA可降至20°C/W左右。

电气参数

更详细的电气特性请参考数据手册。

采购渠道

长晶科技CJAC1R9SN04AL可通过以下渠道采购：

• 官方授权代理商：如南山电子等。
• 长晶科技官网（www.jscj.com）查询授权分销商列表。
• 批量采购可直接联系长晶科技销售团队。