CJAC2R8SN03AL

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

产品概述

CJAC2R8SN03AL是长晶科技(JSCJ)推出的SGT(屏蔽栅沟槽)N沟道MOSFET,额定电压30V,电流120A,采用PDFNWB5x6-8L封装。该器件具有低导通电阻(典型值2.2mΩ@VGS=4.5V),适用于高功率密度应用,如DC-DC转换器、电机驱动和电池保护。

封装尺寸与引脚说明

PDFNWB5x6-8L封装尺寸为5mm×6mm,厚度0.75mm,8引脚设计。引脚1为栅极(G),引脚2-7为源极(S),引脚8为漏极(D)。底部有大面积散热焊盘,需焊接至PCB铜箔区域以实现良好散热。

热阻参数解析

热阻是评估散热能力的关键参数:

  • Rth-JC(结到外壳热阻):典型值0.8°C/W(最大值1.0°C/W)。该值反映热量从芯片传递到封装表面的能力,用于计算散热片需求。
  • Rth-JA(结到环境热阻):典型值40°C/W(在标准FR4 PCB、1oz铜箔、无散热条件下)。实际应用中,通过增大铜箔面积可降低至约20°C/W。

最大功耗计算方法

最大功耗P_D取决于结温T_J(max)=175°C、环境温度T_A和总热阻Rth-JA。公式:P_D = (T_J(max) - T_A) / Rth-JA。例如,在T_A=25°C、Rth-JA=40°C/W时,P_D=3.75W;若使用散热设计将Rth-JA降至20°C/W,P_D可达7.5W。

散热片选型建议

对于连续大电流应用,建议在PCB底层设计大面积铜箔(至少2oz),并通过过孔连接至顶层焊盘。若需外接散热片,选择热阻Rth-SA ≤ (T_J(max)-T_A)/P_D - Rth-JC - Rth-CS(其中Rth-CS为绝缘垫片热阻,通常0.1-0.5°C/W)。推荐使用铝制散热片,配合导热硅脂。

电气参数

参数
VDS30V
VGS±12V
ID (连续)120A
RDS(on) @VGS=4.5V2.2mΩ (典型)
RDS(on) @VGS=10V2.8mΩ (典型)
VGS(th)1.1-2.0V

采购渠道

通过长晶科技授权分销商(如南山电子)或直接联系原厂样品中心。批量采购可咨询JSCJ销售团队。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS30V
VGS±12V
ID120A
VGSTH1.1~2.0V
RDSM VGS2.2
RDSM VGS 102.8
RDSM VGS 112.6
RDSM VGS 123.5

CJAC2R8SN03AL 常见问题

Q:CJAC2R8SN03AL 是什么器件?
A:CJAC2R8SN03AL 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC2R8SN03AL 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC2R8SN03AL的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC2R8SN03AL.pdf 直接下载。
Q:CJAC2R8SN03AL 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC2R8SN03AL 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC2R8SN03AL 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC2R8SN03AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC2R8SN03AL 现货价格是多少?
A:CJAC2R8SN03AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。