CJAC2R8SN06AL

产品概述

CJAC2R8SN06AL是长晶科技（JSCJ）推出的采用SGT（屏蔽栅沟槽）工艺的N沟道功率MOSFET。其漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）高达190A，导通电阻（RDS(on)）在VGS=10V时典型值仅为2.8mΩ，具有极低的导通损耗和开关损耗。器件采用PDFNWB5x6-8L封装，该封装为无引脚、底部散热型，适合表面贴装，具有优异的热性能，适用于电源管理、电机驱动、电池保护等应用。

封装尺寸与引脚说明

PDFNWB5x6-8L封装外形尺寸为5mm × 6mm，高度约0.8mm，共8个引脚。引脚1、2、3为源极（Source），引脚4为栅极（Gate），引脚5、6、7、8为漏极（Drain），且封装底部有大面积散热焊盘（漏极）。封装具有低热阻、低寄生电感的特点，适合高电流密度设计。

热阻参数解析

热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数。CJAC2R8SN06AL的热阻参数如下：

• 结到外壳热阻（Rth-JC）：典型值1.2℃/W（最大值1.5℃/W）
• 结到环境热阻（Rth-JA）：典型值40℃/W（取决于PCB布局和铜箔面积）

Rth-JC反映器件内部热量传导至封装外壳的效率，Rth-JA则反映在实际应用中的整体散热能力。较低的Rth-JC表明芯片到封装底部的热传导路径短，有利于通过底部焊盘散热。

最大功耗计算方法

最大功耗（PD）由最大结温（TJ(max)=175℃）和环境温度（TA）决定：

PD = (TJ(max) - TA) / Rth-JA

例如，当TA=25℃时，若Rth-JA=40℃/W，则PD = (175-25)/40 = 3.75W。但若PCB设计优化（如大面积铜箔），Rth-JA可降低至20℃/W，则PD可达7.5W。实际应用中需根据散热条件计算。

散热片选型建议

由于PDFNWB5x6-8L封装底部有散热焊盘，建议在PCB上对应位置设计散热铜箔，并通过过孔连接至背面铜层。若功耗较大，可附加散热片：

• 选择导热系数高的散热片材料（如铝或铜）
• 使用导热硅脂或导热垫片填充间隙
• 确保散热片与封装底部紧密接触
• 考虑风冷或强制对流以降低热阻

电气参数

关键电气参数（Tj=25℃，除非另有说明）：

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：60V（最小值）
• 栅极阈值电压（VGS(th)）：1.2~2.4V
• 导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V，典型值2.8mΩ（最大值3.5mΩ）
• 输入电容（Ciss）：典型值3500pF
• 总栅极电荷（Qg）：典型值60nC

这些参数表明该器件适用于高频开关应用，具有低栅极电荷和低导通电阻，可有效降低开关损耗和导通损耗。

采购渠道

长晶科技CJAC2R8SN06AL可通过长晶官方授权代理商或主流电子元器件电商平台（如南山电子等）购买。建议批量采购时联系代理商获取更优价格和技术支持。样品可申请免费样品，具体请联系长晶科技销售代表。