CJAC50SN03

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

CJAC50SN03 MOSFET 选型指南

CJAC50SN03是长晶科技(JSCJ)推出的SGT(Shielded Gate Trench)工艺N沟道MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装,专为低压大电流应用优化。VDS=30V,ID=50A,RDS(on)低至3.8mΩ(典型值),是电源转换、电池保护等场景的理想选择。

选型维度解析

低压MOSFET选型需平衡以下参数:

  • 耐压(VDS):30V可覆盖12V/24V系统,并留有安全余量。
  • 电流(ID):50A连续电流能力满足电机驱动、DC-DC等需求。
  • 导通电阻(RDS(on)):3.8mΩ(VGS=4.5V)带来极低导通损耗,提升效率。
  • 封装:PDFNWB5x6-8L具有低热阻(RθJA≈40°C/W),适合紧凑布局。

CJAC50SN03优势

  • SGT工艺:相比传统沟槽MOSFET,开关损耗更低,EMI特性更好。
  • 低RDS(on):3.8mΩ(典型值)在同类中表现优异,减少热生成。
  • 宽VGS范围:±20V,兼容3.3V/5V逻辑电平。
  • 无ESD保护:需注意操作防护,但成本更优。

典型应用推荐

  • DC-DC转换器(12V/24V输入)
  • 锂电池保护板(BMS)
  • 低压电机驱动(如风扇、电动工具)
  • 电源管理(OR-ing、负载开关)

同系列型号对比

型号VDSIDRDS(on)@4.5V封装
CJAC50SN0330V50A3.8mΩPDFNWB5x6-8L
CJAC40SN0330V40A5.0mΩPDFNWB5x6-8L
CJAC60SN0330V60A3.0mΩPDFNWB5x6-8L

CJAC50SN03在电流与RDS(on)之间取得平衡,适合通用设计。

南山电子选型支持

南山电子提供CJAC50SN03样品、技术文档及FAE支持。如需选型帮助或替代方案,请联系我们的工程师团队。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS30V
VGS±20V
ID50A
VGSTH1.0~2.5V
RDSM VGS3.8
RDSM VGS 104.95
RDSM VGS 115.5
RDSM VGS 127.2

CJAC50SN03 常见问题

Q:CJAC50SN03 是什么器件?
A:CJAC50SN03 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC50SN03 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC50SN03的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC50SN03.pdf 直接下载。
Q:CJAC50SN03 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC50SN03 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC50SN03 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC50SN03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC50SN03 现货价格是多少?
A:CJAC50SN03 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。