CJAC5R0SN06AL

产品概述

CJAC5R0SN06AL是长晶科技（JSCJ）推出的单N沟道SGT MOSFET，采用先进的屏蔽栅极沟槽（SGT）工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。其漏源电压VDS为60V，连续漏极电流ID高达98A，适合高功率密度应用。产品采用PDFNWB5x6-8L无引脚封装，散热性能优越。

封装尺寸与引脚说明

PDFNWB5x6-8L封装尺寸为5mm×6mm，高度典型值0.95mm，底部带有散热焊盘（Drain引脚）。引脚排列（俯视图）：引脚1为Gate，引脚2-7为Source，引脚8为Drain（散热焊盘）。建议PCB设计时在散热焊盘下方布置过孔阵列以增强导热。

热阻参数解析

结到壳热阻Rth-JC典型值3.8°C/W（最大5°C/W），结到环境热阻Rth-JA典型值50°C/W（取决于PCB布局）。低Rth-JC表明芯片到封装底部的热传导效率高，合理散热设计可显著降低结温。

最大功耗计算方法

最大功耗PD = (Tj_max - Tc) / Rth-JC。假设Tj_max=175°C，Tc=25°C，则PD=(175-25)/3.8≈39.5W。实际应用中需考虑Tc和环境温度，通过Rth-JA计算：PD=(Tj_max - Ta)/Rth-JA。例如Ta=25°C时，PD=(175-25)/50=3W（自然散热）。

散热片选型建议

当功耗超过3W时需加装散热片。推荐使用铝制散热片，热阻Rth-SA<10°C/W（空气流速1m/s）。安装时使用导热硅脂或导热垫片，确保散热片与封装底部紧密接触。对于高功率应用，可考虑强制风冷或液冷。

电气参数

栅极阈值电压VGSTH：1.3~2.3V；导通电阻RDS(on)在VGS=10V时典型值5mΩ，最大7.6mΩ；栅源电压VGS±20V；无ESD保护。开关特性：上升/下降时间典型值10ns/15ns，栅极电荷Qg典型值30nC。

采购渠道

可通过长晶科技授权代理商或官方商城采购，批量价格更具优势。推荐电子元器件分销平台如南山电子等。样品申请请联系JSCJ销售代表。