CJAC5R9SN10MS

CJAC5R9SN10MS 产品定位：高效开关电源同步整流与主开关

CJAC5R9SN10MS 是长晶（JSCJ）推出的一款采用先进 SGT（Split Gate Trench）工艺的 N 沟道功率 MOSFET。其 100V 的漏源击穿电压（VDS）和 116A 的连续漏极电流（ID）使其成为中等电压、大电流开关电源（SMPS）应用的理想选择。该器件特别适用于同步整流（SR）应用，也可作为 BUCK、BOOST 以及反激拓扑中的主开关管。在图腾柱（Totem-Pole）无桥 PFC 电路中，CJAC5R9SN10MS 也能凭借其低导通电阻和低栅极电荷实现高效能。

电气参数详解：低导通电阻与稳定阈值

CJAC5R9SN10MS 的核心优势在于其极低的导通电阻 RDS(on)。在 VGS=10V 时，典型值仅为 5.9mΩ（最大 6.7mΩ）；在 VGS=4.5V 时，典型值为 8.8mΩ（最大 11mΩ）。这使得在大电流传输时，导通损耗（I²R）显著低于同类产品。其栅极阈值电压 VGS(th) 范围为 1.3V 至 2.5V，典型值 1.8V，确保了在低电压驱动下的可靠开启。栅源电压 VGS 最大额定值为 ±20V，提供了充足的驱动裕量。此外，SGT 工艺带来的低 Qg 和 Qgd 有助于降低开关损耗，提升高频应用效率。

在 BUCK/BOOST/反激拓扑中的应用

在 BUCK 变换器中，CJAC5R9SN10MS 可作为上管或下管使用。作为上管时，其低 RDS(on) 和低 Qg 有助于减少导通损耗和开关损耗；作为同步整流管时，其体二极管反向恢复特性（需参考 datasheet 中的 trr 参数）和低导通电阻可进一步提升效率。在 BOOST 拓扑中，尤其适用于 PFC 升压级，其 100V 耐压可覆盖 400V 输出应用中的应力。反激变换器中，CJAC5R9SN10MS 可用于原边主开关或副边同步整流，其低 RDS(on) 可显著降低输出整流损耗，提高电源转换效率。建议在实际设计中进行损耗计算，以优化工作频率和散热。

栅极驱动设计建议

CJAC5R9SN10MS 的栅极电荷 Qg 典型值为 48nC（VGS=10V，VDS=50V，ID=30A），Qgd 为 13nC。驱动电路应提供足够的峰值电流以快速充放电栅极电容，建议使用具有源/漏电流能力的驱动 IC（如 2A/2A 或更高）。为防止寄生导通，可在栅极串联电阻（如 10Ω）并并联肖特基二极管。栅极驱动电压推荐为 10V 至 12V，以确保充分导通并降低 RDS(on)。对于高频应用（>100kHz），需注意栅极回路布局紧凑，减小驱动环路电感。

热管理：PDFNWB5x6-8L 封装散热

PDFNWB5x6-8L 封装是 5mm×6mm 的双散热焊盘封装，具有低热阻。其结到外壳热阻 RθJC 典型值为 2.5°C/W（需确认 datasheet）。在典型 SMPS 应用中，建议将底部散热焊盘大面积铺铜，并通过过孔连接至 PCB 背面地层以增强散热。在 116A 满载条件下，需强制风冷或水冷系统确保结温不超过 175°C。实际设计时，应结合损耗分析（导通损耗+开关损耗）进行热仿真，并预留安全余量。

南山电子：现货供应，技术支持

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