CJAC6R2SN10AL
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
CJAC6R2SN10AL MOSFET 产品简介
长晶科技（JSCJ）推出的CJAC6R2SN10AL是一款采用SGT（屏蔽栅沟槽）技术的单N沟道MOSFET，封装为PDFNWB5x6-8L，漏源电压VDS=100V，连续漏极电流ID=100A。其极低的导通电阻RDS(on)（典型值4.9mΩ @ VGS=10V）和优化的栅极电荷，使其成为电机驱动应用的理想选择。
为何电机驱动选择此参数
电机驱动（如H桥、半桥、三相逆变器）要求MOSFET具有低导通损耗、快速开关特性和良好的体二极管性能。CJAC6R2SN10AL的100V耐压可覆盖24V、48V乃至更高电压的电机系统，100A电流容量满足大功率需求。SGT工艺降低了RDS(on)和栅极电荷，减小了导通和开关损耗，提升了系统效率。
电气特性详解
- 导通电阻RDS(on): VGS=10V时典型值4.9mΩ，最大6.2mΩ；VGS=4.5V时典型值6.6mΩ，最大9mΩ。低电阻减少I²R损耗。
- 阈值电压VGS(th): 1.7~2.4V，低阈值有利于低压驱动，但需注意栅极噪声。
- 栅极电荷Qg: 典型值约40nC（需确认），配合低驱动电阻可实现快速开关。
- 体二极管: 具有快速反向恢复特性，反向恢复时间trr和电荷Qrr优化，减少死区时间损耗。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥或半桥拓扑中，上下管交替导通。CJAC6R2SN10AL的低Qg和低RDS(on)有助于减小死区时间并提高效率。建议栅极驱动电压为10V以充分降低导通电阻。注意栅极回路寄生电感，可在栅极串联小电阻（如10Ω）以抑制振荡。
死区时间与体二极管特性
电机驱动中死区时间至关重要，以防止上下管直通。CJAC6R2SN10AL的体二极管反向恢复电荷Qrr较低，允许更短的死区时间，从而减少死区损耗和波形畸变。实际测试表明，在相同条件下，其体二极管反向恢复特性优于传统沟槽MOSFET。
保护电路
为确保可靠运行，建议在栅源间并联齐纳二极管（如15V）防止过压。在漏源间可加RC吸收电路抑制尖峰。由于该器件无内置ESD保护，操作时需注意静电防护。
采购信息
CJAC6R2SN10AL采用PDFNWB5x6-8L封装，符合RoHS标准。可申请样品，批量供货周期约4-6周。价格请咨询长晶科技授权代理商。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 100 | A |
| VGSTH | 1.7~2.4 | V |
| RDSM VGS | 4.9 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 6.2 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 6.6 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 9 | mΩ |
CJAC6R2SN10AL 常见问题
Q：CJAC6R2SN10AL 是什么器件？
A：CJAC6R2SN10AL 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC6R2SN10AL 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC6R2SN10AL的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC6R2SN10AL.pdf 直接下载。
Q：CJAC6R2SN10AL 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC6R2SN10AL 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC6R2SN10AL 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC6R2SN10AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC6R2SN10AL 现货价格是多少？
A：CJAC6R2SN10AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。