CJAC6R8SN03AL

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

CJAC6R8SN03AL MOSFET选型指南

一句话定位:CJAC6R8SN03AL是长晶科技推出的30V/30A SGT N沟道功率MOSFET,专为低压大电流高效开关应用设计,以低导通电阻和紧凑封装满足高功率密度需求。

选型维度解析

  • 耐压(VDS=30V):适用于12V/24V电源系统,典型应用如DC-DC转换器、电池保护板,需考虑电压尖峰余量。
  • 电流(ID=30A):连续漏极电流30A,脉冲电流能力更高,适合电机驱动、负载开关等需要瞬时大电流的场景。
  • 导通电阻(RDS(on)):典型值6.8mΩ @ VGS=10V,5.4mΩ @ VGS=12V。低RDS意味着更小导通损耗,提升系统效率,尤其适合持续大电流工作。
  • 封装(PDFNWB5x6-8L):5x6mm表面贴装,低热阻,适合高密度PCB布局,需注意散热设计。

此型号优势

  • 采用SGT(屏蔽栅沟槽)工艺,优化开关性能与导通电阻的平衡。
  • 低RDS(on)减少发热,提升可靠性。
  • 宽阈值电压范围(1.4-2.2V),兼容逻辑电平驱动。

典型应用推荐

  • DC-DC转换器(同步整流)
  • 锂电池保护板(BMS)
  • 低压电机驱动(如风扇、泵)
  • 负载开关和电源管理

同系列型号对比

型号VDS (V)ID (A)RDS(on)@10V (mΩ)封装
CJAC6R8SN03AL30306.8PDFNWB5x6-8L
CJAC10SN03AL305010PDFNWB5x6-8L
CJAC4R5SN03AL30404.5PDFNWB5x6-8L

工程师可根据所需电流和RDS选择更优型号。

南山电子选型支持

南山电子提供长晶MOSFET全系列样品、技术文档及选型咨询。如需CJAC6R8SN03AL的详细规格书或替代建议,欢迎联系。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS30V
VGS±20V
ID30A
VGSTH1.4~2.2V
RDSM VGS5.4
RDSM VGS 106.8
RDSM VGS 118.8
RDSM VGS 1211.5

CJAC6R8SN03AL 常见问题

Q:CJAC6R8SN03AL 是什么器件?
A:CJAC6R8SN03AL 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJAC6R8SN03AL 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC6R8SN03AL的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC6R8SN03AL.pdf 直接下载。
Q:CJAC6R8SN03AL 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC6R8SN03AL 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC6R8SN03AL 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC6R8SN03AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC6R8SN03AL 现货价格是多少?
A:CJAC6R8SN03AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。