CJAC75SN10

器件简介

CJAC75SN10是长晶科技（JSCJ）采用SGT（屏蔽栅沟槽）工艺的N沟道MOSFET，VDS 100V，连续漏极电流ID 75A，导通电阻典型值8mΩ(@VGS=10V)。封装为PDFNWB5x6-8L，适合紧凑型电机驱动设计。

电机驱动为何选择此参数

电机驱动（H桥、半桥、三相逆变）要求MOSFET具备：

• 低导通电阻：减少传导损耗，提升效率。
• 快速开关：降低开关损耗，适配PWM高频调制。
• 可靠体二极管：处理续流电流，减少反向恢复损耗。

电气特性详解

• VDS=100V：满足48V、60V电池供电的电机系统。
• VGS(th)=1.0~2.5V：低阈值兼容3.3V/5V逻辑电平。
• RDS(on)：VGS=10V时8mΩ，VGS=8V时10mΩ，VGS=11V时10.5mΩ，VGS=12V时16mΩ（高温下）。
• 体二极管：反向恢复时间trr典型值XXns（需参考数据手册），反向恢复电荷Qrr小，减少换向损耗。

H桥/半桥应用设计要点

在H桥或半桥中，上下管交替导通，死区时间需根据MOSFET的开关延迟调整：

• 开通延迟td(on)与关断延迟td(off)应匹配，避免直通。
• CJAC75SN10具有低栅极电荷QG（典型值XXnC），可快速开关，允许较短死区时间。
• 建议死区时间100ns~300ns，具体参考实际测试。

死区时间与体二极管特性

死区时间内，负载电流通过MOSFET的体二极管续流。体二极管的反向恢复特性至关重要：

• 反向恢复时间trr短：减少二极管反向恢复电流引起的损耗和电压尖峰。
• 反向恢复电荷Qrr小：降低EMI和开关管应力。
• CJAC75SN10的SGT工艺优化了体二极管，Qrr典型值较低，适合高频PWM。

保护电路

建议在电机驱动中加入：

• 栅极电阻Rg（10Ω~100Ω）限制开关速度，抑制振荡。
• 并联RC缓冲网络吸收电压尖峰。
• 过流保护采用逐周期限流，利用MOSFET的短路耐受时间。
• 温度检测，防止过热。

采购信息

型号：CJAC75SN10
品牌：长晶（JSCJ）
封装：PDFNWB5x6-8L
包装：编带盘装
MOQ：3000pcs
样品可联系代理商或在线平台购买。