CJAC75SN10AL
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
高压MOSFET产品概述
CJAC75SN10AL是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Shielded Gate Trench）工艺N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装，额定电压100V，连续电流75A。该器件专为高压工业应用设计，如光伏逆变器、充电桩、工业变频器等，具有低导通电阻、优异开关特性和高可靠性。
耐压裕量与可靠性
CJAC75SN10AL的VDS为100V，VGS最大±20V，确保在高压系统中具有充足的电压裕量。SGT工艺通过屏蔽栅极结构降低米勒电容，提高开关速度并抑制dv/dt误触发，增强系统抗干扰能力。器件经过100%雪崩测试，UIS能力高，适用于严苛的工业环境。
电气参数详解
- VDS: 100V，适用于48V、72V等高压总线系统。
- ID: 75A（持续电流），峰值电流能力更高。
- RDS(on): 在VGS=10V时典型值9mΩ，VGS=7.5V时7.5mΩ，低导通损耗。
- VGS(th): 1.2~2.5V，宽阈值范围便于驱动设计。
- Qg: 低栅极电荷，适合高频开关。
光伏逆变器应用
在光伏逆变器中，CJAC75SN10AL可用于DC-DC升压电路和逆变桥。其100V耐压可匹配光伏板开路电压，低RDS(on)减少转换损耗，提高效率。SGT工艺的快速恢复体二极管可抑制反向恢复电流，降低EMI。
工业变频应用
在工业变频器中，该MOSFET适用于电机驱动和电源转换。75A电流能力满足中小功率电机需求，宽阈值电压兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。PDFNWB5x6-8L封装具有优异热性能，支持高功率密度设计。
安全使用规范
- 确保VDS不超过100V，VGS不超过±20V，避免雪崩击穿。
- 散热设计：根据功耗计算散热器，保持结温低于175°C。
- 驱动电路：推荐使用栅极电阻限制开关速度，防止振荡。
- ESD防护：该器件无内置ESD保护，操作需注意静电防护。
代理采购
长晶科技CJAC75SN10AL可通过官方授权代理商购买，提供样品和批量供货。如需技术文档或设计支持，请联系JSCJ团队或访问官网。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 75 | A |
| VGSTH | 1.2~2.5 | V |
| RDSM VGS | 7.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 9 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 9.6 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 13 | mΩ |
CJAC75SN10AL 常见问题
Q：CJAC75SN10AL 是什么器件？
A：CJAC75SN10AL 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC75SN10AL 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC75SN10AL的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC75SN10AL.pdf 直接下载。
Q：CJAC75SN10AL 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC75SN10AL 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC75SN10AL 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC75SN10AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC75SN10AL 现货价格是多少？
A：CJAC75SN10AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。