CJAC75SN10L
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
器件简介
CJAC75SN10L是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）N沟道MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。其VDS为100V，ID高达75A，导通电阻典型值仅9.4mΩ（VGS=10V），专为高性能电机驱动应用设计。
电机驱动为何选择此参数
电机驱动（H桥、半桥、三相逆变器）要求MOSFET具有低导通电阻以减小损耗，高电流能力以驱动大功率电机，以及足够的耐压以应对母线电压波动。CJAC75SN10L的100V耐压适用于48V及以下系统，75A电流能力满足中等功率电机需求。SGT工艺带来更低的栅极电荷和更快的开关速度，降低开关损耗。
电气特性详解
关键参数：VDS=100V，ID=75A，RDS(on)=9.4mΩ@VGS=10V（典型），VGS(th)=1.4~2.5V。栅极电荷Qg典型值低，有助于快速开关。体二极管反向恢复时间trr短，反向恢复电荷Qrr小，减少死区时间损耗。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥或半桥拓扑中，上下管交替导通。CJAC75SN10L的低导通电阻确保通态损耗小；低Qg使栅极驱动更易，可选用较小驱动电阻。同步整流时，体二极管导通时间短，需注意死区时间设置。
死区时间与体二极管特性
死区时间需平衡避免直通与二极管导通损耗。CJAC75SN10L体二极管反向恢复特性优良，trr典型值约30ns，Qrr约60nC，允许较短死区时间，提升效率。建议根据具体应用调试死区时间，典型范围50-200ns。
保护电路
建议在栅极加串联电阻（10-100Ω）限制开关速度，防止振荡。可并联齐纳二极管（15V）保护栅极过压。在功率回路加RC snubber吸收尖峰。若需防反接，可在输入加PMOS或二极管。
采购信息
CJAC75SN10L由长晶科技生产，可通过南山电子、华强北等渠道购买。批量采购联系JSCJ官方代理商。型号后缀L表示无铅环保封装。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 75 | A |
| VGSTH | 1.4~2.5 | V |
| RDSM VGS | 9.4 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 12 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 12.4 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 16 | mΩ |
CJAC75SN10L 常见问题
Q：CJAC75SN10L 是什么器件？
A：CJAC75SN10L 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC75SN10L 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC75SN10L的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC75SN10L.pdf 直接下载。
Q：CJAC75SN10L 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC75SN10L 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC75SN10L 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC75SN10L 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC75SN10L 现货价格是多少？
A：CJAC75SN10L 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。