CJAC80SN10
CJAC80SN10 – 长晶科技SGT MOSFET，为低压大电流应用而生
CJAC80SN10是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Shielded Gate Trench）工艺N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L小型化封装，在100V耐压下实现80A持续电流能力，典型导通电阻RDS(on)仅6.2mΩ（@VGS=10V），特别适用于对导通损耗和效率有严苛要求的低压大电流场景，如电池管理系统（BMS）、负载开关、同步整流等。
超低RDS(on)优势：提升系统效率，降低发热
得益于SGT技术，CJAC80SN10在有限芯片面积内实现了极低的导通电阻。在相同电压和电流等级下，相比传统沟槽MOSFET，RDS(on)降低约20%~30%。这意味着在通过80A电流时，导通损耗（I²R）仅为约39.7W（@6.2mΩ），而同类产品可能高达50W以上。更低的导通电阻直接转化为更少的发热量，简化散热设计，提升系统整体效率。
关键电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VDS (漏源电压) | 100V |
| ID (持续漏极电流) | 80A |
| VGS (栅源电压) | ±20V |
| VGS(th) (阈值电压) | 1.0~2.5V |
| RDS(on) @VGS=10V | 典型6.2mΩ，最大8.5mΩ |
| RDS(on) @VGS=4.5V | 典型8.8mΩ，最大10.5mΩ |
| 封装 | PDFNWB5x6-8L |
电池保护与BMS应用
在锂电池保护板和多节电池管理系统中，CJAC80SN10的100V耐压可覆盖3~7串锂离子电池组（典型电压12V~25.2V），80A电流能力满足电动工具、电动自行车、储能设备等大功率需求。其低导通电阻确保电池充放电回路压降极小，减少能量损失，延长电池续航。同时，SGT结构提供优异的开关性能，降低开关损耗，适合高频PWM控制。
PCB布局与散热建议
PDFNWB5x6-8L封装底部有大面积裸露焊盘（Drain），建议在PCB对应位置设计足够大的铜箔区域并添加过孔阵列以增强散热。典型散热设计：
- 顶层焊盘面积至少20mm×20mm，底层对应区域同样铺铜并通过过孔连接。
- 若电流超过40A，建议辅助风冷或加装小型散热片。
- 栅极驱动回路应尽量短，避免寄生振荡。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的功率半导体厂商，专注于MOSFET、二极管、三极管等产品，拥有成熟的SGT、Trench、SJ等工艺平台。其产品以高可靠性、高性价比著称，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
南山电子购买渠道
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电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 80 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 6.2 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 8.5 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 8.8 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 10.5 | mΩ |