CJACR80SN03A

SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

高压MOSFET产品概述

CJACR80SN03A是长晶科技(JSCJ)推出的SGT(屏蔽栅沟槽)N沟道MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装,专为高压工业应用设计。其VDS为30V,连续漏极电流高达350A,导通电阻RDS(on)典型值仅0.56mΩ(VGS=10V),在同类产品中具有极低的导通损耗和开关损耗,是光伏逆变器、充电桩、工业变频器等高压高功率场景的理想选择。

耐压裕量与可靠性

该器件额定VDS为30V,VGS范围为±20V,具备充足的耐压裕量。通过优化SGT结构,有效降低了栅极电荷和米勒平台,增强了抗dv/dt能力,确保在高压瞬态环境下稳定工作。同时,器件经过严格的雪崩测试和HALT测试,具备优异的抗浪涌能力和长期可靠性,满足工业级应用对安全性和寿命的严苛要求。

电气参数详解

  • 类型:Single-N,SGT工艺
  • VDS:30V(连续),适合24V/36V系统
  • ID:350A(Tc=25°C),提供强大电流处理能力
  • RDS(on):0.56mΩ(VGS=10V),0.8mΩ(VGS=4.5V),低导通损耗
  • VGS(th):1.4~2.2V,低阈值便于驱动
  • Qg:典型值低,支持高频开关

光伏逆变器应用

在光伏逆变器中,CJACR80SN03A可用作DC-DC升压或DC-AC桥臂开关管。其低RDS(on)显著降低导通损耗,提升MPPT效率;低Qg和快速开关特性减少开关损耗,支持高频脉宽调制。配合30V耐压,可安全应对光伏板电压波动及反接保护,助力逆变器实现高转换效率和长寿命。

工业变频应用

工业变频器常面临高电压、大电流和恶劣环境。CJACR80SN03A的350A大电流能力和低导通电阻,适合电机驱动输出级。其坚固的SGT结构可承受电机启动冲击电流和频繁开关,稳定工作在-55°C至175°C温度范围,为变频器提供可靠动力。

安全使用规范

为确保最佳性能和可靠性,请遵循以下规范:

  • 栅极驱动电压建议10~12V,确保完全导通。
  • 散热设计需保证结温不超过175°C,建议使用散热器或强制风冷。
  • 避免超过VDS和ID绝对最大额定值,防止雪崩击穿。
  • 焊接温度不超过260°C,时间小于10秒。
  • ESD防护等级为Class 1C,操作时需采取防静电措施。

代理采购

CJACR80SN03A由长晶科技(JSCJ)原厂或授权代理商供货,提供卷带包装(3000pcs/盘)。如需样品或批量采购,请通过官网或联系代理商获取报价和技术支持。库存充足,可快速交付。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSGT
ESDNo
VDS30V
VGS±20V
ID350A
VGSTH1.4~2.2V
RDSM VGS0.56
RDSM VGS 100.8
RDSM VGS 110.84
RDSM VGS 121.2

CJACR80SN03A 常见问题

Q:CJACR80SN03A 是什么器件?
A:CJACR80SN03A 是长晶科技(JSCJ)生产的SGT MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS SGT,ESD No。
Q:CJACR80SN03A 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJACR80SN03A的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJACR80SN03A.pdf 直接下载。
Q:CJACR80SN03A 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJACR80SN03A 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJACR80SN03A 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJACR80SN03A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJACR80SN03A 现货价格是多少?
A:CJACR80SN03A 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。