CJACR95SN04AL
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
产品概述
CJACR95SN04AL是长晶科技（JSCJ）推出的采用SGT（Shield Gate Trench）工艺的N沟道功率MOSFET，封装为PDFNWB5x6-8L。该器件具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于低压大电流应用。
VDS耐压分析
VDS=40V，为器件的漏源击穿电压，确保在40V以下电压应力下安全关断。该参数需考虑系统电压尖峰，建议降额使用，适用于12V/24V母线系统。
RDS(on)与导通损耗
RDS(on)在VGS=10V时典型值0.95mΩ，最大值1.1mΩ；VGS=4.5V时典型值1.5mΩ。极低导通电阻可显著降低I²R损耗，尤其在350A大电流下，导通损耗仅为约116W（按最大值1.1mΩ计算），适合高功率密度设计。
开关特性与栅极驱动
阈值电压VGSTH=1.3~2.3V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。Qg参数未提供，但SGT工艺通常具有低栅极电荷，适合高频开关。栅极驱动电压VGS=±20V，提供较大驱动裕量。
热阻与功率计算
需参考封装热阻RθJA和RθJC。PDFNWB5x6-8L封装具有良好散热，建议配合散热设计。最大耗散功率PD受限于结温175°C，需根据实际热阻计算。
应用推荐
- 低压大电流开关电源（如VRM、POL）
- 电机驱动（如电动工具、无人机）
- 电池保护电路（如锂电池充放电）
- DC-DC转换器
代理渠道
长晶JSCJ产品可通过官方授权代理商购买，提供技术支持和样品服务。如需询价或申请样品，请联系当地分销商。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 40 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 350 | A |
| VGSTH | 1.3~2.3 | V |
| RDSM VGS | 0.7 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 0.95 | mΩ |
| RDSM VGS 11 | 1.1 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 1.5 | mΩ |
CJACR95SN04AL 常见问题
Q：CJACR95SN04AL 是什么器件？
A：CJACR95SN04AL 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJACR95SN04AL 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJACR95SN04AL的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJACR95SN04AL.pdf 直接下载。
Q：CJACR95SN04AL 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJACR95SN04AL 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJACR95SN04AL 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJACR95SN04AL 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJACR95SN04AL 现货价格是多少？
A：CJACR95SN04AL 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。