CJB110SN10 MOSFET - 低压大电流SGT N沟道MOSFET

型号：CJB110SN10 | 品牌：长晶（JSCJ） | 子类：SGT MOSFET | 封装：TO-263-2L

产品定位

CJB110SN10是长晶科技推出的SGT（屏蔽栅沟槽）N沟道MOSFET，额定电压100V，连续漏极电流高达110A。专为低压大电流应用设计，如电池管理系统（BMS）、负载开关和同步整流电路。凭借超低导通电阻和优异的开关性能，显著提升系统效率，降低散热需求。

低RDS(on)优势分析

CJB110SN10在VGS=10V时典型RDS(on)仅为8.5mΩ（最大值10mΩ），在VGS=8V时典型值9.5mΩ（最大值12mΩ）。相比传统MOSFET，导通损耗降低约20-30%。在100A负载下，导通损耗仅为85W（基于8.5mΩ），远低于同类产品。低RDS(on)直接转化为更高的转换效率和更小的散热器尺寸，特别适合紧凑型电源设计。

电气参数表

电池保护/BMS应用

在锂电池保护板中，CJB110SN10的低导通电阻可减少充放电回路损耗，延长电池续航。其100V耐压满足大多数电池组（如36V/48V）要求，且具有较高的雪崩能量承受能力。典型应用包括：电动工具、电动自行车、储能系统等。

PCB布局与散热建议

TO-263-2L（D2PAK）封装具有较大的散热焊盘。建议PCB上铺设大面积铜箔和散热过孔，确保热量快速传导至底层。对于持续高电流应用，可外接散热器或采用风冷。栅极驱动回路应尽量短，减少寄生电感。推荐使用10V~12V栅极驱动电压以完全导通，获得最低RDS(on)。

长晶品牌介绍

长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体分立器件制造商，专注于MOSFET、二极管、三极管等产品。其SGT MOSFET系列性能对标国际一线品牌，具有高可靠性、一致性好、性价比高等特点。CJB110SN10通过严格的质量测试，适用于工业级和消费类应用。

南山电子购买渠道

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