CJB3R0SN10B
SGT MOSFET TO-263-2L ✓ 量产中
产品概述
CJB3R0SN10B是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Shielded Gate Trench）工艺N沟道功率MOSFET，采用TO-263-2L封装。其100V耐压与180A连续漏极电流能力，结合极低的导通电阻（典型值2.5mΩ@VGS=10V），使其成为开关电源（SMPS）中高效能开关的理想选择。SGT技术显著降低栅极电荷（Qg）和米勒电容，提升开关速度，特别适用于高频、高功率密度的电源转换器。
电气参数详解
- VDS: 100V，适合48V/60V母线及宽输入电压范围应用
- ID: 180A（Tc=25°C），满足大电流输出需求
- RDS(on): 2.5mΩ（VGS=10V），3.0mΩ（VGS=4.5V），低导通损耗
- VGS(th): 2.0~4.0V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动
- Qg: 典型值60nC，优化开关损耗
- ESD: 无内置ESD保护，需注意栅极防护
典型应用拓扑
同步整流（SR）
在反激、LLC等拓扑的次级侧，CJB3R0SN10B作为同步整流管，利用其极低RDS(on)替代肖特基二极管，显著降低整流损耗。高电流能力（180A）和低Qg确保在重载下仍保持高效率。
BUCK变换器
作为BUCK电路的高侧或低侧开关，100V耐压可覆盖12V~60V输入范围。低导通电阻减少占空比损失，适合非隔离POL模块及DC-DC转换器。
BOOST变换器
在BOOST升压拓扑中，作为主开关管，其低RDS(on)和快速开关特性有助于抑制电压尖峰，提升升压效率。适用于PFC、LED驱动等场景。
反激变换器
作为主开关或辅助开关，SGT工艺带来的低输出电容（Coss）减少开关损耗，适合高频反激设计。
栅极驱动设计建议
VGS(th)范围2.0~4.0V，推荐驱动电压10V以完全导通，最低4.5V可工作但RDS(on)略高。建议驱动电阻Rg=5~15Ω，以平衡开关速度与EMI。由于无ESD保护，栅极应并联10kΩ电阻防静电，PCB布局需缩短栅极回路。
热管理指南
TO-263-2L封装需良好散热：
- 建议PCB铜箔面积≥6cm²，多层板通过过孔导热
- 最大结温175°C，Tc=25°C时ID=180A，Tc=100°C时降额至约110A
- 热阻RθJC=0.5°C/W，需配合散热器或强制风冷
采购与技术支持
南山电子为长晶科技授权代理商，提供CJB3R0SN10B现货及技术资料。可提供样品、参考设计及热仿真支持。批量价格优惠，交货周期短。立即咨询获取最新报价和库存信息。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 180 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 2.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 3 | mΩ |
CJB3R0SN10B 常见问题
Q：CJB3R0SN10B 是什么器件？
A：CJB3R0SN10B 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TO-263-2L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJB3R0SN10B 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJB3R0SN10B的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJB3R0SN10B.pdf 直接下载。
Q：CJB3R0SN10B 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJB3R0SN10B 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJB3R0SN10B 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJB3R0SN10B 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJB3R0SN10B 现货价格是多少？
A：CJB3R0SN10B 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。