CJB3R5SN10MS
SGT MOSFET TO-263-2L-B ✓ 量产中
CJB3R5SN10MS 产品概述
CJB3R5SN10MS 是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Shielded Gate Trench）N沟道MOSFET，采用TO-263-2L-B封装。其额定电压VDS=100V，连续漏极电流ID=200A，典型导通电阻RDS(on)在VGS=10V时仅3.5mΩ（最大2.9mΩ@VGS=10V）。该器件专为开关电源（SMPS）设计，尤其适用于同步整流、BOOST主开关及图腾柱PFC等高效拓扑。
电气参数与特性
- 漏源电压 VDS：100V
- 栅源电压 VGS：±20V
- 连续漏极电流 ID：200A（Tc=25°C）
- 阈值电压 VGS(th)：2.4~3.6V
- 导通电阻 RDS(on)：2.9mΩ（典型值@VGS=10V），3.5mΩ（最大值@VGS=10V）
- 无ESD保护，需注意栅极防静电
在BUCK/BOOST/反激拓扑中的应用
BUCK变换器：作为同步整流管，CJB3R5SN10MS的低导通电阻可显著降低导通损耗，提升轻载效率。其低栅极电荷（Qg）有助于减少驱动损耗，适合高频BUCK电路。
BOOST变换器：作为主开关管，100V耐压裕量充足，适用于12V输入、48V输出的BOOST电路。SGT结构提供低米勒电容，降低开关损耗，提高转换效率。
反激拓扑：在反激变换器中，该器件可用于初级侧开关，其快速开关特性有助于减小漏感尖峰，配合RCD吸收电路可提升可靠性。
栅极驱动设计建议
驱动电压建议为10V，以充分降低导通电阻。由于VGS最大±20V，需避免过压。建议采用低阻抗驱动路径，并在栅极串联10Ω电阻以抑制振铃。若驱动芯片输出能力不足，可增加图腾柱缓冲级。
热管理
TO-263-2L封装具有良好散热性能，建议在PCB上铺设大面积铜箔并加装散热器。在100A连续电流下，需确保结温不超过175°C。可参考热阻RθJC=0.5°C/W进行散热设计。
南山电子采购
CJB3R5SN10MS 由南山电子（JSCJ授权分销商）提供现货供应。支持小批量样品及大批量订货，提供技术文档和FAE支持。可通过官网或客服热线获取报价与交期。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 200 | A |
| VGSTH | 2.4~3.6 | V |
| RDSM VGS | 2.9 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 3.5 | mΩ |
CJB3R5SN10MS 常见问题
Q：CJB3R5SN10MS 是什么器件？
A：CJB3R5SN10MS 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TO-263-2L-B封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJB3R5SN10MS 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJB3R5SN10MS的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJB3R5SN10MS.pdf 直接下载。
Q：CJB3R5SN10MS 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJB3R5SN10MS 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJB3R5SN10MS 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJB3R5SN10MS 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJB3R5SN10MS 现货价格是多少？
A：CJB3R5SN10MS 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。