CJB4R9SN10MS
SGT MOSFET TO-263-2L-B ✓ 量产中
CJB4R9SN10MS MOSFET选型指南
CJB4R9SN10MS是长晶科技（JSCJ）推出的一款SGT（Shielded Gate Trench）工艺N沟道功率MOSFET，采用TO-263-2L-B封装，额定电压100V，电流135A，典型导通电阻仅4.5mΩ（@VGS=10V），专为需要高效率与高功率密度的应用而设计。
选型维度解析
在MOSFET选型中，工程师需权衡耐压（VDS）、电流（ID）、导通电阻（RDS(on)）与封装热性能等关键参数：
- 耐压（VDS）：100V的额定值适用于48V系统、电动工具、通信电源等，留有足够安全裕量应对电压尖峰。
- 电流（ID）：135A的连续电流能力（取决于散热条件）可满足大功率负载需求，适合电机驱动、电池开关等场景。
- 导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）极低导通损耗，提升系统效率，减少散热需求。
- 封装：TO-263-2L-B（D2PAK）具有低热阻，便于PCB散热，适合中等功率密度设计。
此型号优势
CJB4R9SN10MS在以下维度表现突出：
- 低RDS(on)：4.5mΩ@10V，相比同类100V器件更低，显著降低导通损耗。
- SGT工艺：优化开关性能，降低米勒电荷，减少开关损耗，适用于高频应用。
- 高电流能力：135A ID满足大电流需求，配合低导通电阻实现高效率。
- 无ESD保护：适合对ESD不敏感的低成本设计，但需注意ESD防护。
典型应用推荐
- DC-DC转换器：如48V转12V，利用低RDS(on)提高转换效率。
- 电机驱动：电动工具、无人机、机器人中用于H桥或三相驱动。
- 电池保护：锂电池充放电管理，低导通电阻减少发热。
- 电源管理：服务器、通信设备中的负载开关。
同系列型号对比
| 型号 | VDS (V) | ID (A) | RDS(on) (mΩ) | 封装 |
|---|---|---|---|---|
| CJB4R9SN10MS | 100 | 135 | 4.5 | TO-263-2L-B |
| CJB4R5SN10MS | 100 | 150 | 4.0 | TO-263-2L-B |
| CJB5R5SN10MS | 100 | 120 | 5.5 | TO-263-2L-B |
如需更低RDS(on)可考虑CJB4R5SN10MS，但电流略高；CJB5R5SN10MS则成本更优。工程师可根据系统散热与成本预算选择。
南山电子选型支持
南山电子作为长晶科技授权代理商，提供CJB4R9SN10MS样品、技术文档及应用支持。工程师可访问官网获取数据手册、仿真模型与设计建议。我们致力于协助客户优化选型，平衡性能与成本。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 135 | A |
| VGSTH | 2.2~3.8 | V |
| RDSM VGS | 4.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 4.9 | mΩ |
CJB4R9SN10MS 常见问题
Q：CJB4R9SN10MS 是什么器件？
A：CJB4R9SN10MS 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TO-263-2L-B封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJB4R9SN10MS 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJB4R9SN10MS的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJB4R9SN10MS.pdf 直接下载。
Q：CJB4R9SN10MS 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJB4R9SN10MS 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJB4R9SN10MS 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJB4R9SN10MS 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJB4R9SN10MS 现货价格是多少？
A：CJB4R9SN10MS 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。