CJD65SN10H
SGT MOSFET TO-251S ✓ 量产中
产品概述
CJD65SN10H是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Shielded Gate Trench）MOSFET，采用N沟道增强型结构，专为高功率密度应用设计。其TO-251S封装兼容SMD贴装，适用于自动化生产。关键参数：VDS=100V，ID=65A，RDS(on)典型值11mΩ（VGS=10V），Qg典型值约30nC（具体参考数据表）。
VDS耐压分析
100V的漏源击穿电压（VDS）使该器件适用于48V系统、电池保护及电机驱动等中压应用。SGT工艺通过屏蔽栅极结构降低寄生电容，同时保持低导通电阻，确保在高压摆率下的可靠性。设计时需考虑电压尖峰，建议预留20%降额。
RDS(on)与导通损耗
在VGS=10V时，RDS(on)典型值11mΩ，最大值13.6mΩ。低导通电阻直接降低I²R损耗，提升系统效率。例如，在ID=30A时，导通损耗Pcon=I²×RDS(on)=30²×0.011=9.9W，需配合良好散热。SGT技术通过优化沟道密度，在相同芯片面积下实现更低电阻。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH=2.0~4.0V，兼容5V逻辑电平驱动。Qg典型值约30nC（需查阅数据表），低栅极电荷减少驱动损耗。SGT结构降低米勒电容（Crss），提升开关速度，适用于高频硬开关拓扑。建议驱动电压为10V以完全导通，避免线性区损耗。
热阻与功率计算
TO-251S封装热阻RθJA约60°C/W（PCB散热），结温范围-55~175°C。最大功耗Pd_max=(Tj_max-Ta)/RθJA。例如Ta=25°C时，Pd_max≈(175-25)/60=2.5W，实际需根据散热条件调整。大电流应用需外接散热器或强制风冷。
应用推荐
- DC-DC转换器（同步整流、BUCK）
- 电机驱动（有刷/无刷DC）
- 电池保护电路（锂电池充放电）
- 电源逆变器（48V系统）
- 负载开关（电子开关）
代理渠道
长晶科技授权代理商包括：南山电子电子等。样品申请可通过官方渠道或代理商网站提交。批量采购建议联系原厂或一级代理商获取最优价格和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 65 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 11 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 13.6 | mΩ |
CJD65SN10H 常见问题
Q：CJD65SN10H 是什么器件？
A：CJD65SN10H 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TO-251S封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJD65SN10H 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJD65SN10H的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJD65SN10H.pdf 直接下载。
Q：CJD65SN10H 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJD65SN10H 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJD65SN10H 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJD65SN10H 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJD65SN10H 现货价格是多少？
A：CJD65SN10H 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。