CJTL2R0SN10MS
SGT MOSFET TOLL-8L ✓ 量产中
产品概述
CJTL2R0SN10MS是长晶科技（JSCJ）推出的单N沟道SGT（Shielded Gate Trench）MOSFET，采用先进的SGT工艺，在100V耐压下实现了极低的导通电阻和栅极电荷，封装为TOLL-8L（无引脚），适合大电流、高功率密度的应用场景。
VDS耐压分析
VDS=100V，保证在开关电源、电机驱动等高压电路中能承受足够的电压应力。SGT结构增强了体二极管的雪崩能力，提高了系统可靠性。实际应用中需考虑电压尖峰，建议留有20%以上的电压余量。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)为1.6mΩ@VGS=10V，最大2.0mΩ，极低的导通电阻大幅降低了导通损耗。在大电流（ID=250A）条件下，导通损耗P=I²R，以200A计算，损耗仅64W，效率显著。RDS(on)随温度上升而增加，热设计时需考虑。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH典型值2.2~3.8V，兼容3.3V/5V逻辑电平。Qg低，开关速度快，适合高频应用。VGS额定±20V，需避免过驱。SGT技术优化了米勒电容，降低了开关损耗。
热阻与功率计算
TOLL-8L封装具有低热阻，RθJC约0.5°C/W（具体见数据手册），配合良好散热可处理数百瓦功耗。最大结温175°C，建议Tj不超过150°C以保证长期可靠性。
应用推荐
- 大电流DC-DC转换器（如服务器电源、VRM）
- BLDC电机驱动（电动工具、无人机）
- 锂电池保护板（大功率充放电）
- 逆变器与UPS（高频环节）
代理渠道
长晶科技授权代理商提供样品及技术支持，批量供货周期短。可通过官网或联系区域代理商获取报价及数据手册。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 250 | A |
| VGSTH | 2.2~3.8 | V |
| RDSM VGS | 1.6 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 2 | mΩ |
CJTL2R0SN10MS 常见问题
Q：CJTL2R0SN10MS 是什么器件？
A：CJTL2R0SN10MS 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TOLL-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJTL2R0SN10MS 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJTL2R0SN10MS的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJTL2R0SN10MS.pdf 直接下载。
Q：CJTL2R0SN10MS 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJTL2R0SN10MS 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJTL2R0SN10MS 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJTL2R0SN10MS 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJTL2R0SN10MS 现货价格是多少？
A：CJTL2R0SN10MS 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。