CJU50SN10
SGT MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中
产品概述
CJU50SN10是长晶科技（JSCJ）采用SGT（Shielded Gate Trench）工艺制造的N沟道功率MOSFET，封装为TO-252-2L。该器件额定电压VDS=100V，连续漏极电流ID=50A，典型导通电阻RDS(on)=16.5mΩ（VGS=10V）。SGT结构降低了栅极电荷（Qg）和导通电阻，适用于高频、高效率的电源转换应用。
VDS耐压分析
100V的漏源击穿电压（VDS）使CJU50SN10能够安全工作在48V系统（如通信电源、电动自行车）以及12V/24V电池供电系统中，并留有足够的电压裕量应对尖峰。实际应用中需考虑温度对耐压的影响，高温下VDS会略有下降，建议降额使用。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)为16.5mΩ（VGS=10V），最大22mΩ。较低的导通电阻意味着更小的I²R损耗，尤其适合大电流应用。例如在ID=20A时，导通损耗约6.6W（按22mΩ计算）。工程师需结合热阻设计散热，确保结温不超过175°C。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH在1.0~2.5V之间，典型值1.8V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。栅极电荷Qg典型值约30nC（VGS=10V），开关速度较快。建议使用具有米勒平台优化的驱动电路，并通过栅极电阻控制开关振铃。SGT工艺降低了Crss，有助于减少开关损耗。
热阻与功率计算
TO-252-2L封装的热阻RθJA典型值为62°C/W（焊接到1平方英寸铜箔）。在环境温度25°C时，允许最大功耗约2.4W（Tj=175°C）。实际应用中需通过PCB铜箔散热或附加散热器。例如，若功耗2W，结温升高124°C，需确保环境温度低于51°C。
应用推荐
- DC-DC转换器（降压/升压）
- 电机驱动（直流有刷/无刷）
- 电池保护电路（锂电池/铅酸）
- 电源管理（负载开关、OR-ing）
- 逆变器（低压辅助电源）
代理渠道
长晶CJU50SN10可通过授权代理商采购，如南山电子等。建议批量采购以获取更低单价。样品可通过长晶官网或代理商申请。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 50 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 16.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 22 | mΩ |
CJU50SN10 常见问题
Q：CJU50SN10 是什么器件？
A：CJU50SN10 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJU50SN10 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU50SN10的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU50SN10.pdf 直接下载。
Q：CJU50SN10 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJU50SN10 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJU50SN10 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJU50SN10 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJU50SN10 现货价格是多少？
A：CJU50SN10 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。