CJWT011SN20MK
SGT MOSFET TO-247-A ✓ 量产中
长晶JSCJ CJWT011SN20MK SGT MOSFET：200V/135A低损耗开关解决方案
CJWT011SN20MK是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）工艺N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3L封装。该器件具有极低的导通电阻（典型值8.6mΩ@VGS=10V），适合低压大电流应用，如电池管理系统（BMS）、负载开关和同步整流。其200V的漏源击穿电压和135A的连续漏极电流能力，为高功率密度设计提供可靠保障。
低RDS(on)优势分析
在相同电压等级下，CJWT011SN20MK的RDS(on)比传统平面MOSFET低30%以上，有效降低导通损耗（I²R）。例如，在100A电流下，导通损耗仅为86W（@RDS(on)=8.6mΩ），显著提升系统效率，减少散热需求。适合高频开关和持续大电流场景。
电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 漏源电压(VDS) | 200V |
| 栅源电压(VGS) | ±20V |
| 连续漏极电流(ID) | 135A |
| 导通电阻(RDS(on))@VGS=10V | 典型8.6mΩ，最大11mΩ |
| 阈值电压(VGS(th)) | 2.0~4.0V |
| 总栅极电荷(Qg) | 典型值请参考数据手册 |
电池保护/BMS应用
在锂电池保护板（BMS）中，CJWT011SN20MK可作为充放电开关管。其低导通电阻可减少电池组内阻，提升充放电效率；200V耐压满足多串电池组需求（如14串48V系统）。配合热关断保护，确保电池安全。
PCB布局与散热建议
TO-247封装需确保散热焊盘与大面积铜箔连接，建议使用双面PCB或多层板以增强散热。栅极驱动走线应远离大电流路径，避免寄生振荡。对于持续大电流应用，需加装散热器并考虑风冷。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的功率半导体供应商，产品覆盖MOSFET、IGBT、二极管等。公司拥有SGT、超结等先进工艺，产品广泛应用于消费、工业、汽车领域。CJWT011SN20MK符合RoHS标准，可靠性高。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJWT011SN20MK原装正品，现货充足。支持小批量样品申请，可提供技术支持和设计参考。购买请访问南山电子官网或联系销售代表。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 200 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 135 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 8.6 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 11 | mΩ |
CJWT011SN20MK 常见问题
Q：CJWT011SN20MK 是什么器件？
A：CJWT011SN20MK 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用TO-247-A封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJWT011SN20MK 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJWT011SN20MK的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJWT011SN20MK.pdf 直接下载。
Q：CJWT011SN20MK 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJWT011SN20MK 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJWT011SN20MK 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJWT011SN20MK 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJWT011SN20MK 现货价格是多少？
A：CJWT011SN20MK 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。