CJWT021SN20MK

产品概述

CJWT021SN20MK 是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（屏蔽栅沟槽）工艺N沟道功率MOSFET，采用TO-247-A封装。该器件具有200V漏源击穿电压（VDS）和85A连续漏极电流（ID），典型导通电阻RDS(on)仅17mΩ（VGS=10V）。SGT技术实现了低导通损耗和快速开关特性，适用于高效率电源转换系统。

封装尺寸与引脚说明

TO-247-A封装为三引脚直插式，适合大电流散热安装。引脚定义：
1. 栅极（Gate）
2. 漏极（Drain）
3. 源极（Source）
详细尺寸：本体长度15.87mm，宽度20.93mm，高度4.83mm，引脚间距5.45mm。建议PCB焊盘设计参考JEDEC标准，确保可靠焊接。

热阻参数解析

热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数：
- 结到壳热阻（Rth-JC）：典型值0.5℃/W，表示从芯片结到封装背面的热传导效率。
- 结到环境热阻（Rth-JA）：典型值40℃/W，反映无散热片时自然对流下的散热能力。Rth-JA受PCB布局、风速等因素影响，实际应用需通过散热片降低热阻。

最大功耗计算方法

最大功耗（PD）由结温限制决定：PD = (Tj_max - Tc) / Rth-JC，其中Tj_max为175℃（典型值），Tc为壳温。例如，当Tc=25℃时，PD = (175-25)/0.5 = 300W。实际应用中需根据壳温降额使用，确保结温不超过175℃。

散热片选型建议

为有效散热，建议采用以下散热方案：
1. 散热片热阻Rth-SA应满足：Rth-SA ≤ (Tj_max - Ta) / PD - Rth-JC - Rth-CS，其中Rth-CS为绝缘垫片热阻（约0.3~0.5℃/W）。
2. 推荐使用TO-247专用散热片，如铝合金型材散热器，接触面涂导热硅脂。
3. 强制风冷可显著降低热阻，设计时需考虑风速与散热片尺寸匹配。

电气参数

关键电气参数：
- VDS：200V
- VGS：±20V
- ID（Tc=25℃）：85A
- VGS(th)：2.0~4.0V
- RDS(on) @ VGS=10V：典型值17mΩ，最大值21mΩ
- 输入电容Ciss：约2000pF
- 开关时间：tr/td(off) 典型值20ns/50ns
这些参数表明该器件适合高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制。

采购渠道

可通过长晶科技授权代理商或电子元器件分销平台（如南山电子、）采购。建议批量购买时咨询原厂获取最新批次和价格。样品可联系JSCJ官方申请。