CJWT5R5SN15MK

高压MOSFET产品概述

长晶JSCJ CJWT5R5SN15MK是一款采用SGT（屏蔽栅沟槽）工艺的N沟道单管MOSFET，额定电压150V，连续漏极电流230A，封装为TO-247-A。该器件专为高压工业、光伏逆变器及充电桩等应用设计，具有低导通电阻、快速开关特性和优异的抗雪崩能力，是追求高效率和高可靠性的理想选择。

耐压裕量与可靠性

CJWT5R5SN15MK的漏源击穿电压VDS为150V，栅源电压VGS额定±20V，提供充足的耐压裕量。SGT技术优化了体内电场分布，降低了开关损耗和电磁干扰，同时增强了器件的抗dv/dt能力，确保在恶劣工况下的长期稳定性。典型栅极阈值电压VGSTH为2.0~4.0V，兼容标准逻辑电平驱动，降低了驱动电路设计难度。

电气参数详解

在VGS=10V时，典型导通电阻RDS(ON)仅为5.5mΩ，VGS=4V时降至4mΩ，有助于减少导通损耗。大电流230A能力配合低热阻TO-247封装，适合高功率密度设计。器件不具备ESD保护，因此需要良好的防静电措施。

光伏逆变器应用

在光伏系统中，CJWT5R5SN15MK可用于DC/DC升压级和DC/AC逆变级。其150V耐压满足常见光伏组串电压（如1000V系统），低导通电阻提升MPPT效率，快速开关特性减少开关损耗，助力实现更高转换效率。此外，SGT结构带来的软恢复体二极管特性有助于抑制EMI，满足光伏并网标准要求。

工业变频应用

在变频器、伺服驱动等工业应用中，该MOSFET可作为三相逆变器桥臂开关。230A电流能力支持数十千瓦级电机驱动，TO-247封装便于散热设计。良好的雪崩耐受性使其能吸收电机反电动势等过压能量，提升系统可靠性。配合适当的栅极驱动，可实现低EMI和高效率运行。

安全使用规范

为确保最佳性能，请遵循以下规范：1）栅极驱动电压建议10~15V，避免超过±20V；2）确保散热器与器件良好接触，必要时使用导热硅脂；3）注意防静电操作，佩戴接地腕带；4）避免长时间过流或过压，设计时留足裕量；5）焊接温度不超过260°C，时间小于10秒。

代理采购

长晶JSCJ CJWT5R5SN15MK由授权代理商【代理名称】提供现货支持，可提供样品及技术支持。批量采购可享受优惠价格，请联系销售团队获取报价及交期。库存充足，支持小批量采购，满足研发及生产需求。