长晶JSCJ 超结MOSFET
共 3 个型号，漏源电压VDS 600~650V
按封装：
| 型号 | 封装 | TYPE | PROCESS | ESD | VDS(V) | VGS(V) | ID(A) | 规格书 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CJPF360JN65A | TO-220F-D | Single-N | Super Junction | No | 650 | ±30 | 11.5 | |
| CJP360JN65 | TO-220-3L-C | Single-N | Super Junction | No | 650 | ±30 | 11.5 | |
| CJWT030JN65AD | TO-247 | Single-N | Super Junction | No | 600 | ±20 | 80 |
长晶JSCJ 超结MOSFET产品介绍
长晶科技（JSCJ）超结MOSFET系列目前共有 3 个在售型号， 漏源电压VDS范围覆盖 600V 至 650V， 封装形式涵盖 to-220-3l-c、to-220f-d、to-247 等多种规格， 适用于消费电子、通信设备、工业控制、新能源等多个应用领域。
本页面列出了长晶JSCJ全部 超结MOSFET 型号的电气参数规格，每个型号均提供原厂数据手册（Datasheet）PDF下载。 如需选型咨询或批量报价，欢迎通过企业微信联系南山电子技术团队。