CJWT030JN65AD

超结MOSFET TO-247 ✓ 量产中

产品概述

CJWT030JN65AD是长晶科技(JSCJ)推出的超结N沟道MOSFET,采用先进的超结工艺,具有低导通电阻和快速开关特性。器件采用TO-247封装,适用于高功率密度应用,如开关电源、逆变器和电机驱动。

封装尺寸与引脚说明

TO-247封装具有三个引脚:栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。标准TO-247封装尺寸:长度15.87mm,宽度20.82mm,高度4.83mm。引脚间距5.08mm。安装时建议使用M3螺丝固定,扭矩0.6-0.8Nm,并涂抹导热硅脂以降低接触热阻。

热阻参数解析

热阻是评估散热能力的关键参数:
- 结到壳热阻Rth-JC:典型值0.45°C/W(最大值0.55°C/W)
- 结到环境热阻Rth-JA:典型值40°C/W(取决于PCB布局和散热条件)
Rth-JC用于计算散热片选型,Rth-JA用于无散热片自然冷却评估。

最大功耗计算方法

最大功耗P_D = (T_Jmax - T_C) / Rth-JC,其中T_Jmax=150°C。例如,壳温T_C=25°C时,P_D≈(150-25)/0.45≈278W。实际应用中需根据壳温降额使用。

散热片选型建议

根据P_D和允许的结温,所需散热片热阻Rth-HS = (T_Jmax - T_A)/P_D - Rth-JC - Rth-CS。推荐使用铝制散热片,表面黑色阳极氧化,接触面涂导热硅脂。对于典型100W功耗,环境温度50°C,需Rth-HS≤0.8°C/W的散热片。

电气参数

VDS=600V,ID=80A,RDS(on)=26mΩ@VGS=10V,30mΩ@VGS=6V。阈值电压VGSTH=3.0~5.0V。栅极电荷QG典型值80nC,输入电容Ciss典型值3500pF。

采购渠道

长晶科技官网及授权分销商(如JSCJ、南山电子)均可购买。建议批量采购时联系原厂或代理商获取最优价格和技术支持。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSSuper Junction
ESDNo
VDS600
VGS±20
ID80
VGSTH3.0~5.0
RDSM VGS26
RDSM VGS 1030

CJWT030JN65AD 常见问题

Q:CJWT030JN65AD 是什么器件?
A:CJWT030JN65AD 是长晶科技(JSCJ)生产的超结MOSFET,采用TO-247封装。TYPE Single-N,PROCESS Super Junction,ESD No。
Q:CJWT030JN65AD 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJWT030JN65AD的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJWT030JN65AD.pdf 直接下载。
Q:CJWT030JN65AD 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJWT030JN65AD 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJWT030JN65AD 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJWT030JN65AD 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJWT030JN65AD 现货价格是多少?
A:CJWT030JN65AD 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。