CJU04N50M1
沟槽型MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中
CJU04N50M1 产品详情
CJU04N50M1是长晶科技（JSCJ）推出的一款N沟道平面型MOSFET，采用TO-252-2L封装，额定电压500V，连续漏极电流4A。该器件针对中低压开关电源应用优化，尤其适用于反激拓扑的主开关管、同步整流辅助开关以及BUCK/BOOST电路中的功率开关。
电气参数与特性
- 漏源电压VDS：500V
- 栅源电压VGS：±30V
- 连续漏极电流ID：4A
- 阈值电压VGS(th)：2.0~4.0V
- 导通电阻RDS(on)：典型值1.2Ω @ VGS=10V，最大值1.5Ω @ VGS=10V
该器件采用平面工艺，具有稳定的雪崩耐量和良好的开关特性，适合硬开关和准谐振变换器。
应用场景
反激式开关电源主开关：CJU04N50M1的500V耐压可满足宽电压输入（85-265VAC）反激电源的漏极电压应力，4A电流能力适用于30W以内的输出功率。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高效率。
BUCK电路中的功率开关：在非隔离降压变换器中，该器件可作为主开关管，用于通信电源、充电器等场合。其栅极电荷适中，驱动简单。
辅助电源及图腾柱PFC：在小功率辅助电源中，CJU04N50M1可作为开关管；在中等功率图腾柱PFC中，可用于高频桥臂。
栅极驱动设计
建议栅极驱动电压为10V，以确保充分导通并降低导通电阻。由于栅极电荷Qg较小（约10nC），可直接由PWM控制器驱动，或通过串联电阻限制驱动电流。注意栅极回路应尽量短，避免寄生振荡。
热管理
TO-252封装具有较好的散热能力，在自然冷却条件下，建议保持PCB铜箔面积足够大以辅助散热。在满负载4A连续工作且VDS=500V时，需考虑散热器或强制风冷。最大结温为150°C，设计时应留有裕量。
采购信息
南山电子为长晶科技授权代理商，提供CJU04N50M1原装正品现货，可提供样品和技术支持。如需样品或批量采购，请联系南山电子销售团队或访问官网。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Planar | |
| ESD | No | |
| VDS | 500 | V |
| VGS | ±30 | V |
| ID | 4 | A |
| VGSTH | 2.0~4.0 | V |
| RDSM VGS | 1200 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1500 | mΩ |
CJU04N50M1 常见问题
Q：CJU04N50M1 是什么器件？
A：CJU04N50M1 是长晶科技（JSCJ）生产的沟槽型MOSFET，采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N，PROCESS Planar，ESD No。
Q：CJU04N50M1 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU04N50M1的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU04N50M1.pdf 直接下载。
Q：CJU04N50M1 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJU04N50M1 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJU04N50M1 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJU04N50M1 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJU04N50M1 现货价格是多少？
A：CJU04N50M1 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。