CJDR1267

产品功能概述

CJDR1267是一款专为三相无刷直流（BLDC）电机设计的门极驱动集成电路，由长晶科技（JSCJ）推出。该器件集成了三个半桥驱动级，可直接驱动外部N沟道MOSFET功率管，支持5.5V至16V的电源电压范围，工作温度覆盖-40℃至100℃，适用于工业及消费类电机控制应用。CJDR1267内置死区时间控制、过流保护及欠压锁定（UVLO）功能，确保系统安全可靠运行。

内部框图说明

CJDR1267的内部功能框图包括：三个自举式高侧驱动器、三个低侧驱动器、一个电荷泵、死区时间控制逻辑、UVLO检测电路以及过流保护比较器。高侧驱动器利用外部自举电容实现浮动供电，支持100%占空比操作。低侧驱动器由VCC供电，输出驱动能力典型值为0.5A。死区时间由内部逻辑固定，典型值为200ns，防止上下管直通。UVLO电路监测VCC电压，当低于4.5V时关闭输出。过流保护通过外部检测电阻输入，阈值可调。

关键参数详解

VS_MIN / VS_MAX：电源电压范围5.5V至16V，适应多种供电系统，如锂电池（3串至4串）或稳压电源。
工作温度范围：-40℃至100℃，满足工业级应用需求。
驱动能力：峰值源电流0.5A，峰值灌电流0.8A，可驱动中等功率MOSFET（如栅极电荷Qg<30nC）。
开关频率：最高支持100kHz，适用于高速BLDC电机控制。
死区时间：典型200ns，有效防止直通，平衡效率与可靠性。

典型应用电路

典型应用电路包含：CJDR1267作为核心驱动，外接6个N沟道MOSFET组成三相全桥，电源端加电解电容和陶瓷电容滤波，自举电容（推荐1μF陶瓷电容）连接VB与VS节点，过流检测电阻串联在低侧公共端，其两端电压输入至ITRIP引脚。MCU输出6路PWM信号至HIN1-3和LIN1-3，控制电机换相。EN引脚用于使能，FAULT引脚输出故障信号。

外围器件选型建议

MOSFET：选择VDS≥30V，RDS(on)≤10mΩ，Qg≤30nC的N沟道MOSFET，如长晶CJAC30N04。
自举电容：1μF陶瓷电容（X7R），耐压≥25V。
电源滤波：VCC引脚加10μF电解电容和0.1μF陶瓷电容并联。
过流检测电阻：根据电机峰值电流选择，例如5A电流选0.1Ω/1W电阻。
PWM输入：MCU输出3.3V或5V逻辑电平，CJDR1267兼容3.3V/5V逻辑。

采购渠道

长晶CJDR1267可通过授权代理商或线上平台（如南山电子、华强北国际电子城）购买。建议批量采购时联系长晶官方或指定代理商以获取技术支持和样品。小批量样品可通过样片申请渠道获取。