BSS138W
平面型MOSFET SOT-323 ✓ 量产中
长晶JSCJ BSS138W N沟道MOSFET：低导通损耗，高效电池管理方案
型号：BSS138W | 品牌：长晶（JSCJ） | 子类：平面型MOSFET | 封装：SOT-323
产品定位
BSS138W是一款采用先进Trench工艺的N沟道单通道MOSFET，专为低压大电流应用场景设计，如电池管理、负载开关和同步整流。其SOT-323小型封装使其成为空间受限便携设备的理想选择。
低RDS(on)优势分析
BSS138W在VGS=10V时典型导通电阻仅为880mΩ，相比同类产品显著降低了导通损耗。在电池放电或负载开关切换过程中，低RDS(on)意味着更少的功率损耗和更高的系统效率，延长电池续航时间。典型栅极阈值电压0.8~1.5V，兼容低电压驱动逻辑，简化电路设计。
电气参数表
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 类型 | Single-N |
| 工艺 | Trench |
| VDS (V) | 50 |
| VGS (V) | ±20 |
| ID (A) | 0.22 |
| VGS(th) (V) | 0.8~1.5 |
| RDS(on) @VGS=10V (mΩ) | 880 |
| RDS(on) @VGS=4.5V (mΩ) | 3500 |
| RDS(on) @VGS=2.5V (mΩ) | 1500 |
| RDS(on) @VGS=1.8V (mΩ) | 6000 |
电池保护/BMS应用
在电池管理系统（BMS）中，BSS138W可作为电池保护板上的充放电开关，其低导通电阻确保在充放电过程中发热量低，提高系统可靠性。同时，50V的漏源击穿电压可应对锂离子电池组的电压波动，保障安全。
PCB布局与散热建议
由于SOT-323封装热阻较高，建议在PCB布局时确保MOSFET底部有足够的铜箔面积用于散热。对于连续大电流应用，可考虑增加散热过孔或使用低热阻封装。
长晶品牌介绍
江苏长晶科技股份有限公司（JSCJ）是国内领先的半导体器件制造商，专注于功率器件和模拟IC的研发生产。产品广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域，以高可靠性和一致性著称。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶JSCJ的授权代理商，提供BSS138W原装现货供应及技术支持。访问南山电子官网或联系销售团队，获取样品、报价及技术文档。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 50 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 0.22 | A |
| VGSTH | 0.8~1.5 | V |
| RDSM VGS | 880 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 3500 | |
| RDSM VGS 11 | 1500 | |
| RDSM VGS 12 | 6000 | mΩ |
BSS138W 常见问题
Q：BSS138W 是什么器件？
A：BSS138W 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-323封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：BSS138W 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取BSS138W的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/BSS138W.pdf 直接下载。
Q：BSS138W 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 BSS138W 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：BSS138W 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：BSS138W 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：BSS138W 现货价格是多少？
A：BSS138W 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。