CJ2301A
平面型MOSFET SOT-23 ✓ 量产中
产品定位
CJ2301A是一款采用Trench工艺的P沟道功率MOSFET，专为低压开关电源(SMPS)应用优化。凭借-20V的漏源电压和-2.3A的连续漏极电流，它非常适合作为同步整流器中的低压侧开关、BUCK变换器中的主开关或BOOST变换器中的整流开关。其SOT-23封装使其在紧凑型电源设计中占优优势。
电气参数详解
- VDS (漏源电压): -20V，适合3.3V/5V/12V输入轨的电源系统。
- ID (连续漏极电流): -2.3A，满足中等功率SMPS需求。
- VGS(th) (阈值电压): -0.4V至-1.0V，低阈值有利于低压驱动。
- RDS(on): 在VGS=-4.5V时典型值82mΩ，VGS=-2.5V时112mΩ，低导通电阻降低导通损耗。
- VGS额定值: ±8V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。
在BUCK/BOOST/反激拓扑中的应用
BUCK变换器: CJ2301A可作为同步降压转换器的高边或低边开关。作为高边P-MOSFET，可简化驱动电路（无需自举），适合输入电压低于15V的应用。其低RDS(on)确保高转换效率。
BOOST变换器: 在升压拓扑中，CJ2301A用作整流开关，其低阈值电压允许直接由PWM控制器驱动，减少外部驱动电路。
反激变换器: 适用于低压辅助电源或DC-DC模块，作为主开关管，其快速开关特性有助于降低开关损耗。
栅极驱动设计
由于CJ2301A的VGS(th)典型值较低（约-0.7V），可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动。但需注意VGS绝对最大值±8V，驱动电压建议在-4.5V至-5V之间以充分导通，避免过压。建议在栅极串联10Ω电阻以抑制振铃，并在栅源间并联10kΩ电阻以防止浮空导通。
热管理
SOT-23封装的RθJA约为250°C/W（典型值）。在-2.3A连续电流下，导通损耗PD=I²R= (2.3²)*0.082≈0.434W，温升约108°C。实际应用中需降额使用，建议限制持续电流在1A以下或增加散热铜箔。在开关电源中，开关损耗也需考虑，建议频率不超过500kHz。
南山电子为长晶(JSCJ)授权代理商，长期备货CJ2301A，提供免费样品和技术支持。可通过官网或客服电话下单，批量价格优惠，支持小批量采购。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -20 | V |
| VGS | ±8 | |
| ID | -2.3 | A |
| VGSTH | -0.4~-1.0 | V |
| RDSM VGS | 82 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 112 | mΩ |
CJ2301A 常见问题
Q：CJ2301A 是什么器件？
A：CJ2301A 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-23封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJ2301A 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ2301A的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ2301A.pdf 直接下载。
Q：CJ2301A 在哪里购买？
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Q：CJ2301A 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
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Q：CJ2301A 现货价格是多少？
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