CJ2307

CJ2307产品概述

CJ2307是长晶科技（JSCJ）推出的一款高性能P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性。器件额定电压-30V，连续漏极电流-2.7A，特别适用于低压开关电源（SMPS）中的同步整流、负载开关以及BUCK/BOOST/反激拓扑中的主开关或辅助开关。

关键电气参数

• 漏源电压VDS：-30V
• 栅源电压VGS：±20V
• 连续漏极电流ID：-2.7A
• 阈值电压VGS(th)：-1.0V ~ -3.0V
• 导通电阻RDS(on)：
  • @VGS=-4.5V：73mΩ（典型）
  • @VGS=-10V：88mΩ（典型）
  • @VGS=-4.0V：110mΩ（典型）
  • @VGS=-2.5V：138mΩ（典型）

在SMPS拓扑中的应用

同步整流：在低压BUCK变换器中，CJ2307可作为同步整流管，其低RDS(on)（73mΩ @ -4.5V）可有效降低整流损耗，提升效率。P沟道特性便于驱动电路设计，尤其适合电池供电设备。

BUCK变换器主开关：在输入电压低于-20V的降压应用中，CJ2307可作为主开关管。其快速开关特性有助于减小开关损耗，适合高频应用。栅极电荷Qg较小，简化驱动电路。

BOOST变换器：在升压应用中，CJ2307可用作输出整流或负载开关。其-30V耐压能力可承受输出过冲，保证系统可靠性。

反激变换器：在低压反激辅助绕组整流中，CJ2307可作为次级侧同步整流管，提高效率。

栅极驱动设计

CJ2307阈值电压范围-1.0V至-3.0V，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动。推荐使用负压驱动（如-4.5V至-10V）以充分导通，获得最低导通电阻。驱动电路应提供足够的峰值电流以快速充放栅极电容，减少开关损耗。由于无内置ESD保护，栅极需采取防静电措施，建议并联齐纳二极管或RC网络。

热管理

SOT-23封装热阻约300°C/W（结到环境）。在-2.7A电流下，导通损耗约0.53W（@RDS(on)=73mΩ），温升约160°C，需确保PCB散热良好。建议增加铜箔面积或使用散热过孔。若环境温度较高或散热条件受限，需降额使用或选择更大封装。

采购信息

南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJ2307现货及技术支持。可提供样品、小批量及批量供应，满足研发和生产需求。点击在线咨询获取最新价格和库存信息。