CJ2309A

平面型MOSFET SOT-23 ✓ 量产中

产品概述

CJ2309A是长晶科技(JSCJ)推出的单P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的Trench工艺制造,具有低导通电阻、快速开关特性。器件封装为SOT-23,适合空间受限的应用。主要电气参数:VDS=-60V,ID=-2A,RDS(on)典型值130mΩ(VGS=-10V),栅极阈值电压范围-1.0~-2.5V。该器件不含ESD保护结构,设计时需注意栅极防静电。

VDS耐压分析

VDS=-60V的额定电压适用于大多数低压电源系统,如电池保护电路、负载开关等。实际应用中建议降额使用,考虑电压尖峰和温度影响。60V耐压可覆盖48V及以下电源轨,并提供足够的裕量。

RDS(on)与导通损耗

在VGS=-10V时,RDS(on)典型值130mΩ,最大值190mΩ;VGS=-4.5V时典型值180mΩ,最大值240mΩ。低RDS(on)减小导通损耗,提高系统效率。对于-2A的电流,导通损耗P=I²×R,在典型电阻下约0.52W,需注意热管理。

开关特性与栅极驱动

栅极电荷Qg未明确给出,但Trench工艺通常具有较低的Qg,适合中速开关应用。VGS=±20V的栅极耐压提供宽驱动范围,推荐驱动电压-10V~-12V以充分导通,-4.5V可用于低电压系统但会增加电阻。阈值电压-1.0~-2.5V,确保在-3.3V或-5V逻辑电平下可靠关断。

热阻与功率计算

SOT-23封装热阻典型值约300°C/W(结到环境)。在25°C环境温度下,最大允许功耗约0.4W(基于Tj=150°C)。实际应用中需根据电流、电阻计算结温,必要时加散热铜箔或降低电流。

应用推荐

  • 电池保护电路(如锂电池放电开关)
  • 负载开关(低压侧或高压侧)
  • DC-DC转换器同步整流
  • 电源管理单元(PMU)

代理渠道

长晶JSCJ产品可通过官方授权代理商或线上平台采购。建议联系原厂获取最新库存和报价。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-P
PROCESSTrench
ESDNo
VDS-60V
VGS±20
ID-2A
VGSTH-1.0~-2.5V
RDSM VGS130
RDSM VGS 10190
RDSM VGS 11180
RDSM VGS 12240

CJ2309A 常见问题

Q:CJ2309A 是什么器件?
A:CJ2309A 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用SOT-23封装。TYPE Single-P,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJ2309A 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ2309A的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ2309A.pdf 直接下载。
Q:CJ2309A 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJ2309A 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJ2309A 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJ2309A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJ2309A 现货价格是多少?
A:CJ2309A 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。