CJ4616SP

平面型MOSFET CSPB1515-4 ✓ 量产中

产品定位

CJ4616SP是长晶科技推出的高性能双N沟道平面型MOSFET,专为低压大电流应用设计。其15V的漏源电压和8A的连续漏极电流能力,使其成为电池保护板、负载开关和同步整流电路的理想选择。

低RDS(on)优势分析

得益于Trench工艺,CJ4616SP在VGS=4.5V时典型导通电阻仅14mΩ,VGS=12V时也仅为18mΩ。极低的导通电阻显著减少了导通损耗(I²R),提升了电源转换效率,尤其适合对效率要求严苛的便携设备和电池供电系统。

电气参数表

参数数值
类型Dual-N
工艺Trench
ESD
VDS15V
VGS±12V
ID8A
VGS(th)0.5~1.3V
RDS(on)@VGS=4.5V14mΩ
RDS(on)@VGS=12V18mΩ

电池保护/BMS应用

在锂电池保护板(BMS)中,CJ4616SP的双N沟道结构可简化充放电控制电路。其低导通电阻减少了电池放电时的压降,延长电池续航时间。内置ESD保护提高了系统可靠性,适用于单节或多节锂电池保护方案。

PCB布局与散热建议

CSPB1515-4封装尺寸小巧,建议采用大面积铜箔和多个散热过孔以增强散热。确保栅极驱动走线短而宽,避免寄生电感。对于大电流路径,使用加宽走线或铜皮,并靠近MOSFET放置去耦电容。

长晶品牌介绍

长晶科技(JSCJ)是国内领先的半导体器件供应商,专注于功率MOSFET、二极管等产品。凭借先进的Trench工艺和严格的质量控制,长晶产品在消费电子、工业控制等领域获得广泛认可。

南山电子购买渠道

南山电子是长晶科技授权代理商,提供CJ4616SP原装正品及技术支持。访问南山电子官网或联系销售团队获取样品、报价及技术支持。

电气参数规格

参数数值单位
TYPEDual-N
PROCESSTrench
ESDYes
VDS15V
VGS±12
ID8A
VGSTH0.5~1.3V
RDSM VGS14
RDSM VGS 1218

CJ4616SP 常见问题

Q:CJ4616SP 是什么器件?
A:CJ4616SP 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用CSPB1515-4封装。TYPE Dual-N,PROCESS Trench,ESD Yes。
Q:CJ4616SP 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ4616SP的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ4616SP.pdf 直接下载。
Q:CJ4616SP 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJ4616SP 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJ4616SP 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJ4616SP 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJ4616SP 现货价格是多少?
A:CJ4616SP 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。