CJ7252KDW
平面型MOSFET SOT-363 ✓ 量产中
长晶JSCJ CJ7252KDW 互补N/P沟道Trench MOSFET 产品详情
产品概述
CJ7252KDW 是长晶科技（JSCJ）推出的一款互补型N/P沟道Trench MOSFET，采用小型化SOT-363封装。该器件集成一个N沟道和一个P沟道MOSFET，N沟道VDS=60V，ID=0.34A；P沟道VDS=-50V，ID=-0.18A。内置ESD保护（HBM≥2kV），适合空间受限的低功耗应用。
VDS耐压分析
N沟道额定漏源电压VDS为60V，P沟道为-50V，满足大多数低压DC-DC转换器和负载开关的电压要求。Trench工艺确保击穿电压稳定，雪崩能力可靠。设计时需考虑电压尖峰，建议留取20%以上余量。
RDS(on)与导通损耗
N沟道在VGS=10V时RDS(on)典型值900mΩ（最大值1100mΩ），P沟道在VGS=-10V时RDS(on)典型值4100mΩ（最大值5500mΩ）。导通损耗P=I²×R，低RDS(on)可减少发热。注意P沟道RDS(on)较高，适合小电流应用。
开关特性与栅极驱动
N沟道栅极阈值电压VGSTH为1.0~2.5V，P沟道为-0.9~-2.0V，低阈值便于3.3V逻辑驱动。栅极电荷Qg较低，开关速度快，但设计栅极驱动电路时需考虑米勒效应，适当调整驱动电阻。
热阻与功率计算
SOT-363封装热阻RθJA约250°C/W（典型）。最大功耗PD(max)= (Tjmax - Ta) / RθJA，假设环境温度25°C，Tjmax=150°C，则PD≈0.5W。实际应用需降额使用。
应用推荐
- DC-DC转换器（升压/降压）
- 负载开关（电源管理）
- 电池保护电路（充放电切换）
- 信号电平转换
代理渠道
长晶JSCJ官方授权代理商包括：南山电子等。样品申请可联系代理商或原厂。批量采购享价格优惠。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | N/P-ch | |
| PROCESS | Trench Trench | |
| ESD | Yes Yes | |
| VDS | 60 -50 | V |
| VGS | ±20 ±20 | |
| ID | 0.34 -0.18 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 -0.9~-2.0 | V |
| RDSM VGS | 900 4100 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 5000 8000 | |
| RDSM VGS 11 | 1100 5500 | |
| RDSM VGS 12 | 5300 10000 | mΩ |
CJ7252KDW 常见问题
Q：CJ7252KDW 是什么器件？
A：CJ7252KDW 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-363封装。TYPE N/P-ch，PROCESS Trench
Trench，ESD Yes
Yes。
Q：CJ7252KDW 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ7252KDW的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ7252KDW.pdf 直接下载。
Q：CJ7252KDW 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJ7252KDW 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJ7252KDW 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJ7252KDW 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJ7252KDW 现货价格是多少？
A：CJ7252KDW 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。