CJ8810
平面型MOSFET SOT-23 ✓ 量产中
CJ8810 MOSFET – 低压大电流低导通损耗方案
长晶科技（JSCJ）推出的CJ8810是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺，专为低压大电流应用优化。其典型导通电阻低至15.5mΩ（VGS=4.5V），最大漏极电流达7A，非常适合电池管理、负载开关和同步整流等场景。
低RDS(on)优势分析
CJ8810在VGS=4.5V时导通电阻典型值仅15.5mΩ，VGS=2.5V时为26mΩ，有效降低导通损耗（I²R），提升系统效率。尤其在电池供电设备中，低导通电阻可延长电池续航，减少发热。内置ESD保护增强器件可靠性。
电气参数表
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | – | – | 20 | V |
| 栅源电压 | VGS | – | – | ±12 | V |
| 连续漏极电流 | ID | – | – | 7 | A |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | 0.4 | – | 1.0 | V |
| 导通电阻 (VGS=4.5V) | RDS(on) | – | 15.5 | – | mΩ |
| 导通电阻 (VGS=2.5V) | RDS(on) | – | 26 | – | mΩ |
| 导通电阻 (VGS=10V) | RDS(on) | – | 16 | – | mΩ |
| 导通电阻 (VGS=4.5V@5A) | RDS(on) | – | 27 | – | mΩ |
电池保护/BMS应用
在锂电池保护电路中，CJ8810的低导通电阻可减少充放电损耗，提高转换效率。其20V的耐压满足单节锂电池（4.2V）保护需求，7A电流能力适用于中等容量电池组。内置ESD可抵御静电放电，提升系统可靠性。
PCB布局与散热建议
SOT-23封装热阻较高，建议在PCB布局时增加铜皮面积以辅助散热。将漏极焊盘连接到大面积铜皮，并尽量靠近电源走线。栅极驱动走线应短而宽，避免寄生电感。建议在靠近器件处放置旁路电容（如0.1μF+10μF）。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体分立器件制造商，产品涵盖MOSFET、二极管、三极管等，以稳定质量和有竞争力的价格著称。CJ8810采用成熟Trench工艺，经过严格测试，适合消费电子、工业控制等领域。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJ8810的现货供应和技术支持。可通过官方网站或客服热线查询库存和报价。批量采购可享受优惠价格，样品支持快速发货。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 0.4~1.0 | V |
| RDSM VGS | 15.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 26 | |
| RDSM VGS 11 | 16 | |
| RDSM VGS 12 | 27 | mΩ |
CJ8810 常见问题
Q：CJ8810 是什么器件？
A：CJ8810 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-23封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJ8810 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ8810的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ8810.pdf 直接下载。
Q：CJ8810 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJ8810 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJ8810 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJ8810 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJ8810 现货价格是多少？
A：CJ8810 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。