CJA03N10S

平面型MOSFET SOT-89-3L ✓ 量产中

产品定位:高效低压大电流开关解决方案

CJA03N10S是长晶(JSCJ)推出的N沟道平面型MOSFET,采用先进的Trench工艺技术,专为低压大电流应用设计。其100V的漏源击穿电压和3A的连续漏极电流能力,使其在电池管理、负载开关、同步整流等场景中表现出色。SOT-89-3L小封装使其在空间受限的设计中优势明显。

低RDS(on)优势:显著降低导通损耗

CJA03N10S在VGS=4.5V时RDS(on)典型值仅113mΩ,在VGS=10V时典型值为140mΩ。低导通电阻意味着更小的导通损耗和更高的系统效率。对于电池供电设备,这意味着更长的续航时间;对于电源转换器,则意味着更高的转换效率和更低的发热。此外,其低栅极电荷(Qg)特性有助于降低开关损耗,提升高频应用性能。

电气参数表

参数符号条件最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压V(BR)DSSVGS=0V, ID=250μA100V
栅极阈值电压VGS(th)VDS=VGS, ID=250μA1.03.0V
漏源导通电阻RDS(on)VGS=4.5V, ID=2A113150
漏源导通电阻RDS(on)VGS=10V, ID=2A140190
输入电容CissVDS=25V, f=1MHz230pF
总栅极电荷QgVDS=50V, ID=2A3.5nC

电池保护/BMS应用

在电池管理系统中,CJA03N10S可用于电池保护板中的充放电开关。其低导通电阻可最小化电池回路中的压降和能量损失,延长电池寿命。100V的耐压能力可应对电池组电压波动,确保安全。此外,SOT-89-3L封装有助于节省PCB面积,适合多串电池组设计。

PCB布局与散热建议

为充分发挥CJA03N10S的性能,建议PCB布局时遵循以下原则:

  • 将MOSFET靠近负载或电池连接点,减少走线电阻。
  • 栅极驱动回路尽量短且远离高dv/dt节点,避免寄生振荡。
  • 漏极和源极走线需足够宽以承载电流,并考虑散热。
  • SOT-89-3L封装底部有散热焊盘,建议在PCB对应位置铺设铜箔并加过孔以增强散热。
  • 若工作电流较大,可考虑外加散热器或强制风冷。

长晶品牌介绍

长晶科技(JSCJ)是国内领先的半导体器件供应商,专注于功率半导体和模拟集成电路的研发、生产与销售。公司拥有先进的Trench、SGT等工艺平台,产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。长晶以高品质、高可靠性著称,为客户提供全面的技术支持和解决方案。

南山电子购买渠道

南山电子是长晶科技官方授权代理商,长期现货供应CJA03N10S及其他型号MOSFET。我们提供原厂正品保证,支持样品申请和小批量采购。了解更多产品详情或获取报价,请访问南山电子官网或联系销售团队。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSTrench
ESDNo
VDS100V
VGS±20
ID3A
VGSTH1.0~3.0V
RDSM VGS113
RDSM VGS 10140
RDSM VGS 11125
RDSM VGS 12190

CJA03N10S 常见问题

Q:CJA03N10S 是什么器件?
A:CJA03N10S 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用SOT-89-3L封装。TYPE Single-N,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJA03N10S 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJA03N10S的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJA03N10S.pdf 直接下载。
Q:CJA03N10S 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJA03N10S 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJA03N10S 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJA03N10S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJA03N10S 现货价格是多少?
A:CJA03N10S 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。