CJAB25N04S

平面型MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中

CJAB25N04S MOSFET产品定位

CJAB25N04S是长晶科技(JSCJ)推出的一款N沟道平面型MOSFET,采用Trench工艺,耐压40V,连续漏极电流25A,封装为PDFNWB3.3x3.3-8L。该器件专为中低压、中等功率应用设计,在导通电阻与开关性能之间取得平衡,适用于DC-DC转换、电池保护、电机驱动等场景。

选型维度解析:耐压/电流/RDS/封装如何权衡

MOSFET选型需综合考量以下关键参数:
1. 耐压(VDS):CJAB25N04S的VDS为40V,适合24V及以下电压轨的电路,留有足够余量应对尖峰。
2. 电流(ID):25A的连续电流能力,可满足中等功率负载需求,但需注意散热条件。
3. 导通电阻(RDS(on)):在VGS=10V时典型值为9.4mΩ,低RDS有助于减少导通损耗,提高效率。
4. 封装:PDFNWB3.3x3.3-8L为小尺寸无引脚封装,适合紧凑型设计,但散热需依赖PCB铜箔。

CJAB25N04S的优势维度

  • 低导通电阻:RDS(on)典型值仅7.5mΩ(VGS=7.5V),在同类40V器件中表现优异,降低损耗。
  • 宽栅极电压范围:VGS(th)在1.0~2.5V之间,兼容3.3V和5V逻辑电平驱动。
  • 无ESD保护:虽然不含内部ESD,但适合对成本敏感且外部有防护措施的设计。
  • Trench工艺:提供低栅极电荷和快速开关特性,适合高频应用。

典型应用推荐

  • DC-DC转换器(如buck拓扑中的同步整流)
  • 电池管理系统(BMS)中的充放电开关
  • 低压电机驱动(如风扇、泵类)
  • 负载开关和电源管理

同系列型号对比

型号VDS(V)ID(A)RDS(on)@10V(mΩ)封装
CJAB25N04S40259.4PDFNWB3.3x3.3-8L
CJAB30N04S40306.5PDFNWB3.3x3.3-8L
CJAB20N04S402012PDFNWB3.3x3.3-8L

相比CJAB30N04S,CJAB25N04S导通电阻略高但成本更低;相比CJAB20N04S,电流能力更强。

南山电子选型支持

南山电子作为长晶科技授权代理商,提供CJAB25N04S样品、技术支持及批量供货。工程师可咨询获取详细规格书、应用笔记及设计参考,协助优化电路设计并缩短开发周期。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSTrench
ESDNo
VDS40V
VGS±20
ID25A
VGSTH1.0~2.5V
RDSM VGS7.5
RDSM VGS 109.4
RDSM VGS 1110.5
RDSM VGS 1215

CJAB25N04S 常见问题

Q:CJAB25N04S 是什么器件?
A:CJAB25N04S 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJAB25N04S 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB25N04S的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB25N04S.pdf 直接下载。
Q:CJAB25N04S 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAB25N04S 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAB25N04S 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAB25N04S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAB25N04S 现货价格是多少?
A:CJAB25N04S 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。