CJAB55N03S
平面型MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中
长晶JSCJ CJAB55N03S MOSFET——低压大电流场景的高效之选
长晶科技（JSCJ）推出的CJAB55N03S是一款采用Trench技术的N沟道MOSFET，额定电压30V，连续漏极电流55A，典型导通电阻低至3.8mΩ（VGS=4.5V）。器件采用PDFNWB3.3x3.3-8L小型化封装，专为电池管理、负载开关和同步整流等低压大电流应用设计。
极低RDS(on)带来的效率优势
CJAB55N03S的导通电阻在VGS=4.5V时典型值为3.8mΩ，在VGS=10V时典型值为5.5mΩ。超低导通电阻直接降低了传导损耗，尤其在大电流工况下可显著提升系统效率。例如在电池放电回路中，每毫欧的降低都能减少发热，延长电池续航。
电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VDS (漏源电压) | 30V |
| VGS (栅源电压) | ±20V |
| ID (连续漏极电流) | 55A |
| VGS(th) (阈值电压) | 1.0~2.5V |
| RDS(on) @VGS=4.5V | 3.8mΩ (典型) |
| RDS(on) @VGS=10V | 5.5mΩ (典型) |
| RDS(on) @VGS=11V | 5.9mΩ (典型) |
| RDS(on) @VGS=12V | 8mΩ (典型) |
| 封装 | PDFNWB3.3x3.3-8L |
电池保护与BMS应用
在锂电池保护板（BMS）中，CJAB55N03S可作为充放电开关管。其30V耐压满足单节至多节锂电池串联需求，55A电流能力兼容大容量电池组。低导通电阻确保充放电回路损耗最小，配合快速开关特性可有效抑制电流尖峰。
PCB布局与散热建议
PDFNWB3.3x3.3-8L封装底部有散热焊盘，建议在PCB上设计大面积铜箔并放置过孔以增强导热。栅极驱动走线应远离漏源大电流回路，避免寄生振荡。对于55A持续电流，推荐使用2oz铜厚并增加散热片。
长晶科技（JSCJ）品牌介绍
长晶科技是国内领先的功率半导体供应商，专注于MOSFET、二极管等产品的研发与制造。其产品线覆盖低压至高压全系列，以高可靠性、高性能和一致性著称，广泛应用于消费电子、工业及汽车领域。
南山电子——正品购买渠道
南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJAB55N03S原装正品及技术支持。库存充足，可提供样品和批量供货，助力您的产品快速上市。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 55 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 3.8 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 5.5 | |
| RDSM VGS 11 | 5.9 | |
| RDSM VGS 12 | 8 | mΩ |
CJAB55N03S 常见问题
Q：CJAB55N03S 是什么器件？
A：CJAB55N03S 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJAB55N03S 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB55N03S的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB55N03S.pdf 直接下载。
Q：CJAB55N03S 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAB55N03S 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAB55N03S 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAB55N03S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAB55N03S 现货价格是多少？
A：CJAB55N03S 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。