CJAB55P03
平面型MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中
CJAB55P03 产品概述
CJAB55P03是长晶科技（JSCJ）推出的一款单P沟道增强型平面MOSFET，采用先进的Trench工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于电池保护、电源管理及负载开关等低压应用。封装为PDFNWB3.3x3.3-8L，具备优良的热性能，适合高密度PCB设计。
封装尺寸与引脚说明
PDFNWB3.3x3.3-8L封装尺寸为3.3mm×3.3mm，高度1.0mm，引脚间距0.65mm。8个引脚中，引脚1-3为源极（S），引脚4为栅极（G），引脚5-8为漏极（D）。底部裸露焊盘与漏极相连，有助于散热。具体尺寸请参考官方数据手册。
热阻参数解析
热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数。CJAB55P03的热阻参数如下：
- 结到壳热阻（Rth-JC）：典型值2.5°C/W（取决于焊盘面积和PCB设计）
- 结到环境热阻（Rth-JA）：典型值50°C/W（在1平方英寸铜焊盘、单层PCB上测量）
实际应用中，Rth-JA受PCB铜箔面积、层数、空气流动等因素影响。建议参考数据手册中的热阻曲线进行设计。
最大功耗计算方法
最大功耗（PD）由允许的最大结温（Tj_max=150°C）和环境温度（Ta）决定。公式：PD = (Tj_max - Ta) / Rth-JA。例如，在Ta=25°C时，PD=(150-25)/50=2.5W。若需更高功耗，需改善散热条件，如增大铜焊盘或使用散热片。
散热片选型建议
对于需要额外散热的应用，建议选择与PDFNWB3.3x3.3封装兼容的散热片。由于封装尺寸小，可考虑使用PCB铜箔散热或小型铝散热片。确保散热片与底部焊盘良好接触，并使用导热硅脂。热阻目标：Rth-JA < 30°C/W以实现更高功耗。
电气参数
- VDS: -30V
- VGS: ±20V
- ID: -55A
- VGS(th): -1.0V ~ -2.5V
- RDS(on)_VGS=8V: 9.5mΩ（典型值）
- RDS(on)_VGS=10V: 8mΩ（典型值）
- RDS(on)_VGS=11V: 11.5mΩ（典型值）
- RDS(on)_VGS=12V: 15mΩ（典型值）
以上参数均在Tj=25°C下测试。注意：RDS(on)随温度升高而增大。
采购渠道
CJAB55P03可通过长晶科技官方授权分销商购买，如南山电子、等。批量采购可直接联系长晶销售。建议在选型时参考最新数据手册。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -55 | A |
| VGSTH | -1.0~-2.5 | V |
| RDSM VGS | 8 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 9.5 | |
| RDSM VGS 11 | 11.5 | |
| RDSM VGS 12 | 15 | mΩ |
CJAB55P03 常见问题
Q：CJAB55P03 是什么器件？
A：CJAB55P03 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJAB55P03 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB55P03的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB55P03.pdf 直接下载。
Q：CJAB55P03 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAB55P03 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAB55P03 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAB55P03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAB55P03 现货价格是多少？
A：CJAB55P03 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。