CJAC10H02
平面型MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
CJAC10H02 MOSFET 简介
长晶（JSCJ）CJAC10H02 是一款单N沟道平面型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，具有极低的导通电阻和优异的开关性能。其VDS为20V，连续漏极电流ID高达100A，适合低压大电流电机驱动应用。封装为PDFNWB5x6-8L，热阻低，散热性能好。
为什么选择CJAC10H02用于电机驱动
电机驱动（如H桥、半桥、三相逆变器）要求MOSFET具有低导通电阻以减小导通损耗，快速开关以降低开关损耗，以及良好的体二极管反向恢复特性以减小死区时间内的损耗。CJAC10H02的RDS(on)典型值仅1.5mΩ（VGS=10V），栅极电荷低，体二极管反向恢复电荷小，非常适合高频PWM控制。
电气特性详解
- 漏源击穿电压VDS：20V，确保在12V/24V系统中安全裕量。
- 栅源阈值电压VGS(th)：0.5~1.2V，低阈值便于逻辑电平驱动。
- 导通电阻RDS(on)：1.5mΩ @ VGS=10V，2mΩ @ VGS=4.5V，降低导通损耗。
- 体二极管反向恢复时间trr：典型值XXns（需查具体规格书），反向恢复电荷Qrr小，减小死区时间损耗。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥或半桥拓扑中，上下管交替导通。CJAC10H02的对称设计使其适合用作高侧和低侧开关。设计时需注意：
- 栅极驱动电压：推荐VGS=10V以充分导通，但也可用5V逻辑电平驱动（RDS(on)会略高）。
- 死区时间：由于体二极管反向恢复特性，建议死区时间>100ns以避免直通。
- 散热：PDFNWB5x6-8L封装底部有散热焊盘，需良好焊接至PCB铜箔。
死区时间与体二极管特性
在死区时间内，电机电流通过MOSFET的体二极管续流。CJAC10H02的体二极管具有快速反向恢复特性，Qrr小，可缩短死区时间，提高效率。同时，体二极管的正向压降VF较低，减少续流损耗。
保护电路
建议在电机驱动电路中增加：
- 栅极串联电阻（10-22Ω）以抑制振荡。
- TVS管（如SMBJ18A）保护栅源过压。
- 输出端并联RC snubber吸收尖峰电压。
- 过流检测（如电流采样电阻）配合PWM关断。
采购信息
CJAC10H02由长晶科技（JSCJ）生产，以卷带包装（Tape & Reel）供货，最小包装3000pcs。可通过代理商或线上平台采购。如需样品或技术支持，请联系长晶官方或授权分销商。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 100 | A |
| VGSTH | 0.5~1.2 | V |
| RDSM VGS | 1.5 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 2 | mΩ |
CJAC10H02 常见问题
Q：CJAC10H02 是什么器件？
A：CJAC10H02 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJAC10H02 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC10H02的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC10H02.pdf 直接下载。
Q：CJAC10H02 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC10H02 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC10H02 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC10H02 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC10H02 现货价格是多少？
A：CJAC10H02 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。