CJAC35N03S

产品概述

CJAC35N03S 是长晶科技（JSCJ）生产的一款高性能 N沟道 平面型 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺，具有低导通电阻、快速开关特性。器件采用 PDFNWB5x6-8L 封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于电源管理、电池保护、DC-DC 转换等领域。

封装尺寸与引脚说明

PDFNWB5x6-8L 封装尺寸为 5.0mm × 6.0mm，高度 0.9mm，8 个引脚。引脚定义：1-3 为源极（S），4-6 为漏极（D），7 为栅极（G），8 为源极（S）。详细尺寸请参考数据手册。

热阻参数解析

热阻参数是评估 MOSFET 散热能力的关键。CJAC35N03S 的典型热阻：Rth-JC（结到壳）为 2.5°C/W，Rth-JA（结到环境）为 50°C/W（取决于 PCB 布局）。较低的 Rth-JC 表明芯片到外壳的热传导效率高，有利于通过散热片或 PCB 铜箔散热。

最大功耗计算方法

最大功耗 PD(max) 由结温限制决定：PD(max) = (Tj(max) - Tc) / Rth-JC，其中 Tj(max) 为 150°C，Tc 为外壳温度。例如，当 Tc=25°C 时，PD(max) = (150-25)/2.5 = 50W。实际应用中需根据工作环境温度降额使用。

散热片选型建议

对于高功率应用，建议使用散热片。散热片热阻 Rth-HS 需满足：Rth-JC + Rth-CS + Rth-HS ≤ (Tj(max) - Ta) / PD。其中 Rth-CS 为导热硅脂热阻（约 0.5°C/W）。建议选用热阻低于 2°C/W 的散热片，并确保接触面平整。

电气参数

关键电气参数：VDS=30V，ID=35A，VGS(th)=1.3~2.5V，RDS(on) 典型值 5.2mΩ@VGS=10V，6.8mΩ@VGS=4.5V，7.5mΩ@VGS=3.8V，10mΩ@VGS=2.5V。无 ESD 保护，需注意防静电。

采购渠道

可通过长晶科技官方授权分销商或电商平台（如南山电子、）采购。建议批量采购以获取更优价格，并关注原厂交期。