CJAC50P03

CJAC50P03 产品概述

CJAC50P03是长晶科技（JSCJ）推出的一款单P沟道Trench工艺功率MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。其额定漏源电压VDS为-30V，连续漏极电流ID为-50A，典型导通电阻RDS(on)在VGS=-10V时仅为4.4mΩ（最大值7mΩ），非常适合低压大电流的开关电源应用。

应用场景

CJAC50P03主要应用于开关电源的同步整流、DC-DC转换器（BUCK/BOOST）以及反激拓扑中的功率开关。在同步整流中，低RDS(on)可显著降低导通损耗；在BUCK电路中作为高边或低边开关，能高效转换电压；在BOOST电路中作为主开关，实现升压功能；在反激拓扑中可用于钳位电路或次级整流。

电气参数与特性

• 漏源电压VDS：-30V
• 栅源电压VGS：±20V
• 连续漏极电流ID：-50A
• 阈值电压VGS(th)：-1.0V ~ -2.5V
• 导通电阻RDS(on)：典型4.4mΩ @ VGS=-10V，最大7mΩ @ VGS=-10V
• 无ESD保护，需注意静电防护

该器件采用Trench工艺，具有低栅极电荷和低导通电阻的平衡，有利于提高开关频率和效率。

在BUCK/BOOST/反激拓扑中的使用

在BUCK电路中，CJAC50P03可作为高边P沟道开关，简化驱动电路；在BOOST电路中，作为主开关可实现高效升压；在反激变换器中，可用于次级同步整流，替代肖特基二极管，降低压降损耗。设计时需注意P沟道MOSFET的驱动要求，一般需要负压关断或使用专用驱动IC。

栅极驱动设计

由于CJAC50P03的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，驱动电压建议为-10V至-4.5V，以保证充分导通和快速关断。驱动电路应提供足够的峰值电流以快速充放栅极电容（Ciss），减少开关损耗。建议使用图腾柱驱动或专用MOSFET驱动IC，并注意驱动回路寄生电感。

热管理

PDFNWB5x6-8L封装具有良好的散热性能，底部有大面积散热焊盘。热阻RθJA典型值为40°C/W（取决于PCB设计）。在-50A连续电流下，导通损耗P=I²×RDS(on)=50²×0.0044=11W，需确保散热充足。建议使用多层PCB和散热过孔，必要时加装散热器或强制风冷。

南山电子采购

CJAC50P03由南山电子提供现货支持，可快速交货。南山电子作为长晶科技授权代理商，提供原厂正品和技术支持。如需样品或批量采购，请联系南山电子销售团队。